[發明專利]一種低功耗待機電路

在審

• 申請號: 202310658872.6
• 申請日: 2023-06-05
• 公開（公告）號: CN116488432A
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 李俊旗;凡新麗
• 申請（專利權）人: 寧波啟帆智能科技有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H02M1/08
• 代理公司: 深圳市廣諾專利代理事務所(普通合伙) 44611
• 代理人: 高勇

1.一種低功耗待機電路，包括電路由4部分組成，控制電源工作電路，控制電源電路自鎖電路，控制檢測鎖電路是否工作電路，檢測鎖電路。所述鎖被關閉時，觸發控制電源電路自鎖，電源電路開始工作，實現對輸出端連接的設備以及MCU供電，所述控制檢測電路開啟后檢測鎖電路工作，可以檢測鎖是處于開啟狀態還是關閉狀態。

2.根據權利要求1所述的一種低功耗待機電路，其特征在于：所述控制電源工作電路包括PMOS場效應晶體管Q1，所述NMOS場效應晶體管Q2、電阻R26、電阻R29和電容C36，其中，鎖狀態輸入ON/OFF接電容C36的一端，所述電容C36的另一端接電阻R29和NMOS場效應晶體管Q2的柵極，所述電阻R29的另一端接NMOS場效應晶體管Q2的源極并接地。

3.根據權利要求1所述的一種低功耗待機電路，其特征在于：所述NMOS場效應晶體管Q2的漏極接PMOS場效應晶體管Q1的柵極和電阻R26，所述電阻R26的另一端接PMOS場效應晶體管Q1的源極和電壓輸入OUT_VIN。

4.根據權利要求1所述的一種低功耗待機電路，其特征在于：所述PMOS場效應晶體管Q1的漏極接電源電路輸入VCC-12V。

5.根據權利要求1所述的一種低功耗待機電路，其特征在于：所述控制電源電路自鎖電路包括:電阻R19、電阻R32和NMOS場效應晶體管J8，電阻R19的一端接電源VDD3.3V，另一端接NMOS場效應晶體管J8的柵極、電阻R32的一端和PWR_CTRL控制輸入。

6.根據權利要求1所述的一種低功耗待機電路，其特征在于：所述電阻R32接NMOS場效應晶體管J8的源極并接地，所述NMOS場效應晶體管J8的漏極接PMOS場效應晶體管Q1的柵極。

7.根據權利要求1所述的一種低功耗待機電路，其特征在于：所述控制檢測鎖電路是否工作電路包括：電阻28，所述電阻30、電阻31、NMOS場效應晶體管J7和PMOS場效應晶體管J6，所述電阻28一端接開啟信號輸入引腳CHECK_CTRL，另一端接電阻R31和NMOS場效應晶體管J7的柵極，所述電阻R31的另一端接NMOS場效應晶體管J7的源極并接地。

8.根據權利要求7所述的一種低功耗待機電路，其特征在于：所述NMOS場效應晶體管J7的漏極接PMOS場效應晶體管J6的柵極和電阻R30，所述電阻R30的另一端接PMOS場效應晶體管J6的源極和鎖狀態輸入ON/OFF。

9.根據權利要求1所述的一種低功耗待機電路，其特征在于：所述檢測鎖電路包括：電路R33和電阻R34，所述電阻R33一端接PMOS場效應晶體管J6的漏極，所述電阻R33的另一端接電阻R34和檢測鎖開關輸出引腳ON/OFF/CHECK，所述電阻R34的另一端接地。