[發明專利]一種具有新型饋電結構的寬帶低剖面雙極化Vivaldi天線單元

在審

• 申請號: 202310656586.6
• 申請日: 2023-06-05
• 公開（公告）號: CN116581538A
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 吳文;周松照;宗志園;錢嵩松
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: H01Q1/50
• 分類號: H01Q1/50;H01Q9/32;H01Q1/48;H01Q1/38;H01Q9/04;H01Q5/335
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 岑丹

1.一種具有新型饋電結構的寬帶低剖面雙極化Vivaldi天線單元，其特征在于，包括金屬地板(3)、介質饋電層(2)、金屬天線單元(1)以及兩個射頻連接器(4)；所述金屬天線單元(1)包括兩個互相垂直的單極化單元，單元結構相同，且兩個單極化單元相互連接且共用金屬柱，所述單極化單元包括漸變槽(12)、均勻直線槽(13)、匹配腔(14)和楔形尖頂(11)；所述介質饋電層(2)設置在金屬地板(3)與金屬天線單元(1)之間，所述兩個射頻連接器(4)穿過金屬地板(3)；所述介質饋電層包括Teflon介質層(22)與矩形金屬貼片(21)，所述矩形金屬貼片(21)位于Teflon介質層(22)與均勻直線槽(13)上表面相接處，所述射頻連接器(4)的探針穿過Teflon介質層(22)與矩形金屬貼片(21)相連，矩形金屬貼片(21)又與金屬天線單元(1)的均勻直線槽相連以進行饋電，兩個射頻連接器(4)的探針穿過介質饋電層(2)為兩個單極化單元一一對應饋電。

2.根據權利要求1所述的具有新型饋電結構的寬帶低剖面雙極化Vivaldi天線單元，其特征在于，漸變槽(12)在單極化單元縱向中軸線的兩側，槽線的起始端為單極化單元和介質饋電層(2)上表面的相接處，槽線開口向其起始段相對的另一方向漸漸變大；從漸變槽(12)的起始端處開始向共用金屬柱方向開槽形成平行于金屬地板的均勻直線槽(13)；所述匹配腔(14)設置在漸變槽(12)靠近公用金屬柱的一側且與均勻直線槽(13)連通。

3.根據權利要求2所述的具有新型饋電結構的寬帶低剖面雙極化Vivaldi天線單元，其特征在于，所述匹配腔(13)為梯形，通過均勻直線槽(13)與漸變槽(12)相連。

4.根據權利要求2所述的具有新型饋電結構的寬帶低剖面雙極化Vivaldi天線單元，其特征在于，所述漸變槽(12)具有三段斜率不同的直線漸變線，且開口率由一端向另一端逐漸變大。

5.根據權利要求1所述的具有新型饋電結構的寬帶低剖面雙極化Vivaldi天線單元，其特征在于，所述Teflon介質層(22)位于金屬天線單元(1)和金屬地板(3)之間的部分，僅保留位于均勻直線槽(13)內的部分介質，其余部分被挖去，使得金屬天線單元(1)與金屬地板(3)連接。