[發(fā)明專利]一種具有阻磁縫隙的耦合機構及其參數(shù)設計方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310654100.5
• 申請日: 2023-06-05
• 公開（公告）號: CN116564667A
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設計）人: 沈濤;蒙鋒;董金熹;劉浠流;丁惠賢;陳冠霖;蘇東;肖靜;王智慧;吳曉銳;任菲凡;韓帥;林銳;龔文蘭;陳紹南;吳寧
• 申請（專利權）人: 廣西電網(wǎng)有限責任公司柳州供電局;廣西電網(wǎng)有限責任公司電力科學研究院;重慶大學
• 主分類號: H01F27/24
• 分類號: H01F27/24;H01F3/14;H01F27/34;H01F27/30;G06F30/10;G06F30/20
• 代理公司: 重慶敏創(chuàng)專利代理事務所(普通合伙) 50253
• 代理人: 陳千

1.一種具有阻磁縫隙的耦合機構，包括發(fā)射線圈和磁芯，其特征在于：所述發(fā)射線圈主體平面貼合于所述磁芯上表面，所述發(fā)射線圈由一根利茲線按照Q型線圈與DD線圈相結合的形式一體繞制而成；

在所述磁芯上開設有過孔，發(fā)射線圈的一端通過第一過孔從所述磁芯的下表面穿設至上表面并由外向內逐匝繞制形成所述Q型線圈；所述Q型線圈的末端通過第二過孔穿設至所述磁芯的下表面并從第三過孔返回到所述磁芯的上表面，然后按照第一繞向由內向外逐匝繞制形成第一D型子線圈，所述第一D型子線圈的末端再向外延伸并按照第二繞向由外向內逐匝繞制形成第二D型子線圈，所述第二D型子線圈的末端再從第四過孔穿過所述磁芯并在磁芯的下表面形成發(fā)射線圈的另一端；

在所述磁芯的每一個過孔上沿著孔壁開設有阻磁縫隙，所述阻磁縫隙貫穿于所述磁芯的上下表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有阻磁縫隙的耦合機構，其特征在于：所述阻磁縫隙呈十字型。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的具有阻磁縫隙的耦合機構，其特征在于：所述阻磁縫隙寬度為8mm。

4.根據(jù)權利要求3所述的具有阻磁縫隙的耦合機構，其特征在于：所述阻磁縫隙長度32cm。

5.根據(jù)權利要求1所述的具有阻磁縫隙的耦合機構，其特征在于：在所述磁芯的下表面還貼合有鋁板。

6.根據(jù)權利要求5所述的具有阻磁縫隙的耦合機構，其特征在于：所述鋁板上設置有散熱通道。

7.根據(jù)權利要求6所述的具有阻磁縫隙的耦合機構，其特征在于：所述散熱通道上設置有散熱風扇。

8.根據(jù)權利要求6所述的具有阻磁縫隙的耦合機構，其特征在于：所述鋁板上設置有散熱鰭片。

9.根據(jù)權利要求5-8任一所述的具有阻磁縫隙的耦合機構，其特征在于：在所述鋁板的底部設置有逆變補償層。

10.一種如權利要求1-9任一所述的具有阻磁縫隙的耦合機構的參數(shù)設計方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：確定發(fā)射線圈激勵電流，根據(jù)耦合機構的最大耦合系數(shù)，選擇阻磁縫隙類型；

S2：逐步增加阻磁縫隙寬度，通過仿真觀察磁芯平均磁通量的變化情況，根據(jù)磁芯平均磁通量的變化情況選擇阻磁縫隙寬度；

S3：逐步增加阻磁縫隙長度，通過仿真觀察磁芯平均磁通量的變化情況，根據(jù)磁芯平均磁通量的變化情況選擇阻磁縫隙長度。