[發明專利]防護膜及其組件和組件框體、組件制造方法、曝光原版、曝光裝置、半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202310651908.8
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN116609996A
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 小野陽介;大久保敦;高村一夫;關口貴子;加藤雄一;山田健郎
• 申請（專利權）人: 三井化學株式會社;國立研究開發法人產業技術綜合研究所
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘海勝;郭玫

1.一種曝光用防護膜，是鋪設在支撐框的開口部的曝光用防護膜，

所述防護膜的厚度為200nm以下，

所述防護膜包含碳納米管片，

所述碳納米管片具備由多個碳納米管形成的捆，

所述捆的直徑為100nm以下，

所述捆在所述碳納米管片中進行面內取向，

所述防護膜滿足下述條件(1)，

(1)對于來源于所述碳納米管的捆的三角晶格的d＝0.37nm即g＝2.7nm^-1附近的峰，使用以下式子定義的、所述碳納米管片的膜厚方向的峰強度與所述碳納米管片的面內方向的峰強度之比R_B為0.40以上，

上述式子中，和表示g＝2.7nm^-1和g＝2.2nm^-1處的所述碳納米管片的膜厚方向的衍射強度，和表示g＝2.7nm^-1和g＝2.2nm^-1處的所述碳納米管片的面內方向的衍射強度。

2.根據權利要求1所述的曝光用防護膜，所述碳納米管的管直徑為0.8nm以上6nm以下。

3.根據權利要求1所述的曝光用防護膜，所述碳納米管片在面方向具有由所述捆形成的網狀結構。

4.根據權利要求1所述的曝光用防護膜，其進一步包含與所述碳納米管片相接的保護層。

5.根據權利要求4所述的曝光用防護膜，所述保護層包含選自由SiO_x、Si_aN_b、SiON、Y₂O₃、YN、Mo、Ru、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、B₄C、SiC和Rh所組成的組中的1種以上，其中，SiO_x中x≤2，Si_aN_b中a/b為0.7～1.5。

6.一種防護膜組件，其具有：

權利要求1～5中任一項所述的曝光用防護膜、以及

支撐所述防護膜的支撐框。

7.一種防護膜，其包含碳納米管片，所述碳納米管片中，

碳納米管的直徑為0.8nm以上6nm以下，

碳納米管的長度為10μm以上10cm以下，

碳納米管中的碳的含量為98質量％以上，

所述防護膜滿足下述條件(1)，

(1)對于來源于所述碳納米管的捆的三角晶格的d＝0.37nm即g＝2.7nm^-1附近的峰，使用以下式子定義的、所述碳納米管片的膜厚方向的峰強度與所述碳納米管片的面內方向的峰強度之比R_B為0.40以上，

上述式子中，和表示g＝2.7nm^-1和g＝2.2nm^-1處的所述碳納米管片的膜厚方向的衍射強度，和表示g＝2.7nm^-1和g＝2.2nm^-1處的所述碳納米管片的面內方向的衍射強度。

8.根據權利要求7所述的防護膜，所述碳納米管的長度相對于直徑之比即長度/直徑為1×10⁴以上1×10⁸以下。

9.根據權利要求7所述的防護膜，其進一步包含與碳納米管片相接的保護層。

10.根據權利要求9所述的防護膜，所述保護層包含選自由SiO_x、Si_aN_b、SiON、Y₂O₃、YN、Mo、Ru、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、B₄C、SiC和Rh所組成的組中的1種以上，其中，SiO_x中x≤2，Si_aN_b中a/b為0.7～1.5。