[發(fā)明專利]一種HEMT器件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310642924.0 | 申請(qǐng)日： | 2023-06-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN116525658A | 公開（公告）日： | 2023-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李敏;龔謙;吳亮;錢蓉;馬靈美 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/10 | 分類號(hào)： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/66;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 200050 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 hemt 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括：
襯底層；
外延層，所述外延層位于所述襯底層上，所述外延層包括成核層，所述成核層與所述襯底層接觸；
源電極區(qū)和漏電極區(qū)，所述源電極區(qū)和所述漏電極區(qū)位于所述外延層上方的兩側(cè)；其中，所述襯底層與所述漏電極區(qū)垂直對(duì)應(yīng)的區(qū)域至少被部分去除，以形成與所述漏電極區(qū)垂直對(duì)應(yīng)的缺口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述漏電極區(qū)設(shè)置有圖形化得到的空白區(qū)域，所述空白區(qū)域貫通所述外延層并延伸至所述缺口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，所述空白區(qū)域沿平行于所述源電極區(qū)和所述漏電極區(qū)連線方向的柵寬方向的兩端的所述漏電極區(qū)的寬度均大于5微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件還包括：
歐姆金屬，所述歐姆金屬位于所述源電極區(qū)和所述漏電極區(qū)的上方；
鈍化層，所述鈍化層覆蓋于所述外延層和所述歐姆金屬上；
柵電極區(qū)，所述柵電極區(qū)位于所述源電極區(qū)和所述漏電極區(qū)之間；
柵金屬，所述柵金屬位于所述柵電極區(qū)上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述襯底層為低阻硅襯底。
6.一種HEMT器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法用于制備權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的HEMT器件，所述制備方法包括：提供襯底層，于所述襯底層的表面生長(zhǎng)外延層；
在所述外延層的表面兩側(cè)分別形成源電極區(qū)和漏電極區(qū)，所述源電極區(qū)和漏電極區(qū)均與所述外延層接觸并形成歐姆接觸；
圖形化所述漏電極區(qū)，形成所述漏電極區(qū)內(nèi)的空白區(qū)域，所述空白區(qū)域內(nèi)顯露出所述外延層的部分表面；
對(duì)所述空白區(qū)域內(nèi)顯露出的所述外延層進(jìn)行刻蝕，以顯露出所述襯底層；
對(duì)所述空白區(qū)域內(nèi)顯露出的所述襯底層進(jìn)行刻蝕，使所述空白區(qū)域延伸至所述襯底層內(nèi)的預(yù)設(shè)深度；
將至此形成的所述HEMT器件鍵合至鍵合襯底上；
對(duì)所述襯底層遠(yuǎn)離所述鍵合襯底的表面進(jìn)行減薄，減薄至所述空白區(qū)域貫穿所述襯底層；
對(duì)所述鍵合襯底進(jìn)行去鍵合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的HEMT器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在所述外延層、所述源電極區(qū)和所述漏電極區(qū)的表面沉積鈍化層；
刻蝕在所述源電極區(qū)和漏電極區(qū)之間的鈍化層以形成條形柵槽，在所述柵槽上設(shè)置柵金屬，形成柵電極區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的HEMT器件的制備方法，其特征在于，所述源電極區(qū)和/或所述漏電極區(qū)沿平行于所述源電極區(qū)和所述漏電極區(qū)連線方向的柵寬方向的寬度為20微米-500微米；和/或所述源電極區(qū)和/或所述漏電極區(qū)沿平行于所述襯底層表面且垂直于所述源電極區(qū)和所述漏電極區(qū)連線方向的柵長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為15微米-50微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的HEMT器件的制備方法，其特征在于，所述空白區(qū)域在所述襯底層內(nèi)延伸的深度為50微米-100微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的HEMT器件的制備方法，其特征在于，對(duì)所述襯底層遠(yuǎn)離所述鍵合襯底的表面進(jìn)行減薄的方法為機(jī)械砂輪減薄、拋光減薄和/或化學(xué)腐蝕減薄。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
