[發(fā)明專利]SONOS存儲器的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310634411.5
• 申請日: 2023-05-31
• 公開（公告）號: CN116568039A
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭景淞;張可鋼
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H10B41/35
• 分類號: H10B41/35;H10B43/35
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 張亞靜

1.一種SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底內(nèi)形成相鄰的有源區(qū)和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述有源區(qū)的橫截面為十字形，分別是沿著X方向的第一有源區(qū)，沿著Y方向的第二有源區(qū)，X方向和Y方向相互垂直，將所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相交的地方作為存儲管區(qū)域有源區(qū)，在所述存儲管區(qū)域有源區(qū)上依次形成形成ONO層、第一多晶硅和硬掩膜層；

在所述硬掩膜層、第一多晶硅內(nèi)形成第一開口，所述第一開口內(nèi)暴露出所述ONO層的表面；

從所述第一開口向所述存儲管區(qū)域有源區(qū)的方向，依次刻蝕所述ONO層和存儲管區(qū)域有源區(qū)，以形成位于所述存儲管區(qū)域有源區(qū)內(nèi)的凹槽；

在所述凹槽的內(nèi)壁形成阻擋氧化層；

通過所述阻擋氧化層向所述存儲管區(qū)域有源區(qū)內(nèi)注入離子，以在所述存儲管區(qū)域有源區(qū)內(nèi)形成存儲管的源極；

去除所述阻擋氧化層；

在所述凹槽的內(nèi)壁形成選擇管氧化層；

在所述凹槽和第一開口內(nèi)形成選擇管的柵極，所述選擇管的柵極在橫截面上沿著所述X方向延升；

刻蝕所述第一多晶硅，以形成存儲管的柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一開口內(nèi)還形成有第一側(cè)墻和第二側(cè)墻，所述第一側(cè)墻覆蓋所述硬掩膜層的側(cè)壁，所述第二側(cè)墻覆蓋所述第一側(cè)墻和第一多晶硅的側(cè)壁。

3.如權(quán)利要求2所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，在所述硬掩膜層、第一多晶硅內(nèi)形成第一開口的方法包括：

刻蝕所述硬掩膜層，露出部分所述第一多晶硅的表面和剩余的所述硬掩膜層的側(cè)壁；

形成第一氧化層，所述第一氧化層覆蓋所述第一多晶硅的表面和剩余的所述硬掩膜層的側(cè)壁以及所述硬掩膜層的表面；

刻蝕所述第一氧化層，以露出所述硬掩膜層的表面和第一多晶硅的表面，剩余的所述第一氧化層作為第一側(cè)墻；

刻蝕露出的所述第一多晶硅，以形成第一開口，所述第一開口露出所述ONO層的表面。

4.如權(quán)利要求1所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，在所述硬掩膜層、第一多晶硅內(nèi)形成第一開口，所述第一開口內(nèi)暴露出所述ONO層的表面之后，還包括：在所述第一開口下方的所述存儲管區(qū)域有源區(qū)內(nèi)形成Halo結(jié)構(gòu)；依次刻蝕所述ONO層、Halo結(jié)構(gòu)和存儲管區(qū)域有源區(qū)形成位于所述存儲管區(qū)域有源區(qū)內(nèi)的凹槽。

5.如權(quán)利要求4所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，通過離子注入的方式在所述第一開口下方的所述存儲管區(qū)域有源區(qū)內(nèi)形成Halo結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，在所述凹槽和第一開口內(nèi)形成選擇管的柵極的方法包括：

向所述凹槽和第一開口填充第二多晶硅后，所述第二多晶硅填充滿所述凹槽和第一開口；

研磨所述第二多晶硅的表面，以形成選擇管的柵極。

7.如權(quán)利要求1所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，在所述凹槽和第一開口內(nèi)形成選擇管的柵極之后，還包括：

去除所述硬掩膜層，以露出所述第一多晶硅的表面。

8.如權(quán)利要求2所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，刻蝕所述第一多晶硅，以形成存儲管的柵極的方法包括：

刻蝕并去除所述第一側(cè)墻未覆蓋的第一多晶硅，以露出所述ONO層的表面，剩余的所述第一多晶硅形成存儲管的柵極。

9.如權(quán)利要求1所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，刻蝕所述第一多晶硅，以形成存儲管的柵極之后，還包括：

通過所述ONO層向所述存儲管區(qū)域有源區(qū)內(nèi)注入離子，以形成漏端。

10.如權(quán)利要求9所述的SONOS存儲器的形成方法，其特征在于，通過所述ONO層向所述存儲管區(qū)域有源區(qū)內(nèi)注入離子，以形成漏端之后，還包括：

去除所述第一多晶硅未覆蓋的ONO層，以露出所述漏端和所述存儲管區(qū)域有源區(qū)的表面。