[發明專利]MIM電容互連結構的制作方法

在審

• 申請號: 202310631268.4
• 申請日: 2023-05-31
• 公開（公告）號: CN116525540A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 古鑫;吳傲軍;馮英;李曉強;陳釗;梁金娥;張守龍
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 趙薇

1.一種MIM電容互連結構的制作方法，其特征在于，所述MIM電容互連結構的制作方法包括以下步驟：

形成覆蓋MIM電容和下層金屬層的互連層復合結構，所述互連層復合結構包括由下至上依次層疊的第一互連層部分、刻蝕阻擋層部分和第二互連層部分；

對所述互連層復合結構進行化學機械研磨，使得所述第二互連層部分的表面平坦化；

基于接觸孔圖案刻蝕所述第二互連層部分，使得刻蝕停止在所述刻蝕阻擋層中，在所述第二互連層部分中形成初級接觸孔；

基于所述接觸孔圖案繼續刻蝕初級接觸孔對應位置處的第一互連層部分、刻蝕阻擋層部分形成接觸孔，使得MIM電容的上極板和下極板以及所述下層金屬層從所述接觸孔中外露；

沉積金屬，使得所述接觸孔中填充滿金屬；

對所述互連層復合結構進行化學機械研磨，去除位于所述互連層復合結構上的金屬。

2.如權利要求1所述的MIM電容互連結構的制作方法，其特征在于，所述第二互連層部分的表面和所述刻蝕阻擋層部分的表面均存在高度差；

所述第二互連層部分的最低表面所在位置高于所述刻蝕阻擋層部分最高表面所在位置。

3.如權利要求1所述的MIM電容互連結構的制作方法，其特征在于，所述基于接觸孔圖案刻蝕所述第二互連層部分，使得刻蝕停止在所述刻蝕阻擋層中，在所述第二互連層部分中形成初級接觸孔的步驟包括：

在平坦化后的所述第二互連層部分的表面形成接觸孔圖案；

基于所述接觸孔圖案，采用所述刻蝕阻擋層相對于所述第二互連層部分為高刻蝕選擇比進行刻蝕；

在所述第二互連層部分中形成初級接觸孔，所述初級接觸孔的底端停留在所述刻蝕阻擋層中。

4.如權利要求3所述的MIM電容互連結構的制作方法，其特征在于，所述基于所述接觸孔圖案繼續刻蝕初級接觸孔對應位置處的第一互連層部分、刻蝕阻擋層部分形成接觸孔，使得MIM電容的上極板和下極板以及所述下層金屬層從所述接觸孔中外露的步驟，包括：

基于所述接觸孔圖案，采用所述刻蝕阻擋層與所述第二互連層部分一致的刻蝕選擇比，繼續刻蝕所述刻蝕初級接觸孔位置處的刻蝕阻擋層部分和第一互連層部分，形成接觸孔，使得MIM電容的上極板和下極板以及所述下層金屬層從所述接觸孔中外露。

5.如權利要求4所述的MIM電容互連結構的制作方法，其特征在于，在所述初級接觸孔位置處繼續刻蝕的刻蝕厚度相同。

6.如權利要求4所述的MIM電容互連結構的制作方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材質為氮化硅，所述第一互連層部分和所述第二互連層部分的材質為氧化硅。

7.如權利要求3所述的MIM電容互連結構的制作方法，其特征在于，所述基于所述接觸孔圖案，采用所述刻蝕阻擋層相對于所述第二互連層部分為高刻蝕選擇比進行刻蝕的步驟，包括：

基于所述接觸孔圖案，用所述刻蝕阻擋層相對于所述第二互連層部分為大于等于6：1的高刻蝕選擇比進行刻蝕。