[發明專利]發光二極管外延片及其制備方法、LED在審
| 申請號： | 202310627316.2 | 申請日： | 2023-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN116364819A | 公開（公告）日： | 2023-06-30 |
| 發明（設計）人： | 鄭文杰;程龍;高虹;劉春楊;胡加輝;金從龍 | 申請（專利權）人： | 江西兆馳半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素蘭 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 外延 及其 制備 方法 led | ||
1.一種發光二極管外延片，其特征在于，包括襯底及依次層疊于所述襯底上的緩沖層、N型GaN層、多量子阱層、調控層、P型GaN層；
所述調控層包括依次層疊在所述多量子阱層上的AlN層、AlaInbGa1-a-bN層、Y1-cAlcN層、GaN/BN超晶格層，其中，0＜c＜a＜1，0＜b＜1。
2.如權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述AlN層、AlaInbGa1-a-bN層與Y1-cAlcN層中Al組分含量依次逐漸遞減，所述AlN層的Al組分含量＞所述AlaInbGa1-a-bN層的Al組分含量＞所述Y1-cAlcN層的Al組分含量。
3.如權利要求2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述AlN層、AlaInbGa1-a-bN層與Y1-cAlcN層中Al組分含量依次遞減的幅度為0.01~0.1。
4.如權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述AlaInbGa1-a-bN層中，Al組分含量沿生長方向依次遞減；
所述Y1-cAlcN層中，Al組分含量沿生長方向依次遞增。
5.如權利要求4所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述AlaInbGa1-a-bN層中，Al組分含量沿生長方向依次遞減的幅度為0.001~0.004；
所述Y1-cAlcN層中，Al組分含量沿生長方向依次遞增的幅度為0.001~0.004。
6.如權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述AlN層的厚度為4nm~10nm；
所述AlaInbGa1-a-bN層的厚度為3nm~10nm；
所述Y1-cAlcN層的厚度為10nm~20nm。
7.如權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述GaN/BN超晶格層包括交替層疊的Ga極性GaN層和BN層，交替層疊的周期數為3~6。
8.如權利要求7所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述GaN/BN超晶格層的厚度為10nm~100nm
所述Ga極性GaN層與所述BN層的厚度比為（1~2）：（1~2）。
9.一種如權利要求1~8任一項所述的發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、準備襯底；
S2、在所述襯底上依次沉積緩沖層、N型GaN層、多量子阱層、調控層、P型GaN層；
所述調控層包括依次層疊在所述多量子阱層上的AlN層、AlaInbGa1-a-bN層、Y1-cAlcN層、GaN/BN超晶格層，其中，0＜c＜a＜1，0＜b＜1。
10.一種LED，其特征在于，所述LED包括如權利要求1~8任一項所述的發光二極管外延片。
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