[發明專利]氮化鎵基晶體管以及氮化鎵基晶體管的鈍化方法

在審

• 申請號: 202310619783.0
• 申請日: 2023-05-29
• 公開（公告）號: CN116487278A
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 孫海定;張昊宸
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L29/778;H01L23/31
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 孫蕾

1.一種氮化鎵基晶體管的鈍化方法，包括：

使用旋涂工藝將稀釋的非晶氟樹脂旋涂在氮化鎵基晶體管的表面，以在所述氮化鎵基晶體管的表面形成鈍化層；以及

通過在依次升高的階梯溫度下在依次遞增的時間內，對形成鈍化層的氮化鎵基晶體管進行烘烤，使所述非晶氟樹脂固定于所述氮化鎵基晶體管的表面。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵基晶體管的鈍化方法，其中，在執行所述旋涂工藝之前執行如下步驟：

對所述氮化鎵基晶體管的表面進行清洗；

對清洗后的所述氮化鎵基晶體管進行烘烤。

3.根據權利要求2所述的氮化鎵基晶體管的鈍化方法，其中，所述對所述氮化鎵基晶體管的表面進行清洗包括：

將所述氮化鎵基晶體管的表面在丙酮、異丙酮和水中分別清洗。

4.根據權利要求2所述的氮化鎵基晶體管的鈍化方法，其中，在對所述對氮化鎵基晶體管的表面進行清洗之后還包括：

使用氨水對清洗后的所述氮化鎵基晶體管進行堿洗再水洗，以去除表面態。

5.根據權利要求1所述的氮化鎵基晶體管的鈍化方法，其中，所述稀釋的非晶氟樹脂是通過利用含氟溶劑將所述非晶氟樹脂進行稀釋得到的。

6.根據權利要求5所述的氮化鎵基晶體管的鈍化方法，其中，所述非晶氟樹脂與所述含氟溶劑的體積的配比范圍為1:1～1:20。

7.根據權利要求1所述的氮化鎵基晶體管的鈍化方法，其中，所述旋涂工藝在常溫條件下將稀釋后的所述非晶氟樹脂旋涂在所述氮化鎵基晶體管的表面。

8.根據權利要求1所述的氮化鎵基晶體管的鈍化方法，其中，對形成鈍化層的所述氮化鎵基晶體管在50℃的溫度下烘烤5min之后在80℃的溫度下烘烤30min，再在150℃的溫度下烘烤60min。

9.一種氮化鎵基晶體管，其中，所述氮化鎵基晶體管包括：

勢壘層；

帽層，所述帽層設置在所述勢壘層上；

源極、漏極和柵極，所述源極、漏極和柵極設置在所述帽層上；

其中，所述帽層用于提高氮化鎵基晶體管的肖特基勢壘高度以降低所述柵極的漏電，鈍化層覆蓋在所述帽層和所述源極、漏極和柵極的遠離所述勢壘層的表面上，其中，所述鈍化層根據權利要求1～8任一所述的氮化鎵基晶體管的鈍化方法制成。

10.根據權利要求9所述的氮化鎵基晶體管，其中，所述帽層采用鋁元素、鎵元素、銦元素與氮元素組合的二元、三元或四元合金，厚度為0.1nm～5nm。