[發明專利]一種AlGaAsSb虛擬襯底及半導體制備方法在審
| 申請號： | 202310607567.4 | 申請日： | 2023-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN116646411A | 公開（公告）日： | 2023-08-25 |
| 發明（設計）人： | 陳星佑;陳意橋;于天 | 申請（專利權）人： | 蘇州焜原光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 吳竹慧 |
| 地址： | 215211 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 algaassb 虛擬 襯底 半導體 制備 方法 | ||
1.一種AlGaAsSb虛擬襯底，其特征在于，
所述虛擬襯底為Al、Ga、As和Sb元素組成的合金材料；
所述虛擬襯底位于GaAs襯底與周期性材料層之間，所述周期性材料層為交替生長的InAs材料和GaSb材料；
所述虛擬襯底的晶格常數d＝(d1*x+d2*y)/(x+y)，其中，x為單個周期中InAs材料層的厚度，y為單個周期中GaSb材料層的厚度，d1為InAs材料的晶格常數，d2為GaSb材料的晶格常數。
2.根據權利要求1所述的AlGaAsSb虛擬襯底，其特征在于，所述虛擬襯底的厚度為0.5-5μm。
3.根據權利要求1所述的AlGaAsSb虛擬襯底，其特征在于，d1選擇InAs材料在300K時的晶格常數d2選擇GaSb材料在300K時的晶格常數
4.根據權利要求1所述的AlGaAsSb虛擬襯底，其特征在于，所述虛擬襯底的導電類型為n型電導或p型電導。
5.根據權利要求1所述的AlGaAsSb虛擬襯底，其特征在于，所述虛擬襯底通過金屬有機化學氣相沉積法或分子束外延法獲得。
6.根據權利要求1所述的AlGaAsSb虛擬襯底，其特征在于，所述GaAs襯底為半絕緣型襯底或導電型襯底。
7.一種半導體制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、獲取GaAs襯底；
S2、在GaAs襯底上生長權利要求1-6任一項所述的AlGaAsSb虛擬襯底；
S3、在AlGaAsSb虛擬襯底上交替生長InAs材料和GaSb材料，形成周期性材料層。
8.根據權利要求7所述的半導體制備方法，其特征在于，所述S1具體包括：
將GaAs襯底送入分子束外延生長腔，并在585～605℃溫度下去除GaAs襯底表面氧化層。
9.根據權利要求7所述的半導體制備方法，其特征在于，所述S2包括：
在GaAs襯底上生長GaAs緩沖層；
令GaAs襯底的溫度為400～450℃，在GaAs緩沖層上生長厚度0.2～2μm的AlGaAsSb材料；
令GaAs襯底的溫度至500～550℃，繼續生長厚度0.3～3μm的AlGaAsSb材料，獲得虛擬襯底。
10.根據權利要求7所述的半導體制備方法，其特征在于，所述S3中，所述周期性材料層包括由下至上依次設置的下接觸層、吸收層和上接觸層，所述下接觸層、吸收層和上接觸層分別包括多個周期的InAs材料和GaSb材料，其中，所述下接觸層與虛擬襯底均為P型材料或者均為N型材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
