[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池的制造方法、太陽(yáng)能電池以及光伏組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310596432.2
• 申請(qǐng)日: 2023-05-23
• 公開（公告）號(hào): CN116525719A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張臨安;金井升;張彼克;王超;段旺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶科能源（海寧）有限公司;浙江晶科能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0288
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本公開實(shí)施例涉及光伏領(lǐng)域，提供一種太陽(yáng)能電池的制造方法、太陽(yáng)能電池以及光伏組件，提供基底；形成位于基底背面的隧穿氧化層；形成第一半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層位于隧穿氧化層上；采用LPCVD工藝形成第二半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層位于第一半導(dǎo)體層上，第二半導(dǎo)體層中具有烷烴基團(tuán)以及摻雜離子，摻雜離子為N型離子或者P型離子；進(jìn)行退火處理，第二半導(dǎo)體層中的烷烴基團(tuán)分解，部分氫原子從第二半導(dǎo)體層中溢出，使得第二半導(dǎo)體層中具有微孔結(jié)構(gòu)；形成電極，電極位于第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)，且至少與部分第二半導(dǎo)體層電接觸。至少可以實(shí)現(xiàn)在提高電池背面的鈍化性能的同時(shí)，提高電池背面膜層的致密性，且減少脫粉以及爆膜的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實(shí)施例涉及光伏領(lǐng)域，特別涉及一種太陽(yáng)能電池的制造方法、太陽(yáng)能電池以及光伏組件。

背景技術(shù)

TOPCon(Tunnel?Oxide?Passivated?Contact隧穿氧化鈍化接觸)電池依靠“隧穿效應(yīng)”實(shí)現(xiàn)后表面鈍化，因其優(yōu)異的高效性及兼容性，越來越受市場(chǎng)的關(guān)注，成為N型高效電池產(chǎn)業(yè)化的切入點(diǎn)。

現(xiàn)有的TOPCon電池由一層超薄的氧化硅和一層重?fù)诫s的多晶硅組成，主要用于電池背表面的鈍化，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的表面鈍化和載流子的選擇性收集。為提高多晶硅層的鈍化效果，進(jìn)而提高電池的性能，現(xiàn)采用摻雜碳的多晶硅層。

然而，目前的太陽(yáng)能電池的制造方法還存在一些問題。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實(shí)施例提供一種太陽(yáng)能電池的制造方法、太陽(yáng)能電池以及光伏組件，至少有利于實(shí)現(xiàn)在提高電池背面的鈍化性能的同時(shí)，提高電池背面膜層的致密性，且減少脫粉以及爆膜的問題。

根據(jù)本公開一些實(shí)施例，本公開實(shí)施例一方面提供一種太陽(yáng)能電池的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有相對(duì)的正面以及背面；形成隧穿氧化層，所述隧穿氧化層位于所述基底的背面；形成第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層位于所述隧穿氧化層遠(yuǎn)離所述基底的表面上；采用LPCVD工藝形成第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的表面上，所述第二半導(dǎo)體層中具有烷烴基團(tuán)，所述第二半導(dǎo)體層中還具有摻雜離子，所述摻雜離子為N型離子或者P型離子；進(jìn)行退火處理，使得所述第二半導(dǎo)體層中的所述烷烴基團(tuán)分解，部分氫原子從所述第二半導(dǎo)體層中溢出，使得所述第二半導(dǎo)體層中具有多個(gè)微孔結(jié)構(gòu)；形成電極，所述電極位于所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且至少與部分所述第二半導(dǎo)體層電接觸。

在一些實(shí)施例中，形成所述第二半導(dǎo)體層的方法包括：提供反應(yīng)源氣體以及摻雜源，所述反應(yīng)源氣體以及所述摻雜源發(fā)生反應(yīng)以形成所述第二半導(dǎo)體層，其中，所述摻雜源包括長(zhǎng)鏈烷烴。

在一些實(shí)施例中，所述長(zhǎng)鏈烷烴的氣體流量為100sccm-1000sccm。

在一些實(shí)施例中，形成所述第一半導(dǎo)體層的工藝為L(zhǎng)PCVD工藝。

在一些實(shí)施例中，形成所述第一半導(dǎo)體層的工藝溫度小于形成所述第二半導(dǎo)體層的工藝溫度。

在一些實(shí)施例中，形成所述第一半導(dǎo)體層的工藝溫度為400-700℃；形成所述第二半導(dǎo)體層的工藝溫度為500-800℃。

在一些實(shí)施例中，所述退火處理的工藝溫度為900-1200℃。

在一些實(shí)施例中，形成所述第二半導(dǎo)體層的工藝步驟中，采用原位摻雜工藝在所述第二半導(dǎo)體層中摻雜所述摻雜離子。

在一些實(shí)施例中，所述電極還填充部分?jǐn)?shù)量的所述微孔結(jié)構(gòu)。