[發明專利]供電方法、裝置、電子設備及可讀存儲介質

在審

• 申請號: 202310595180.1
• 申請日: 2023-05-24
• 公開（公告）號: CN116631465A
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 蘭宇
• 申請（專利權）人: 維沃移動通信有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C11/4074;G06F1/3234;G06F1/3296
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 馬鐵良

本申請公開了一種供電方法、裝置、電子設備及可讀存儲介質，應用于電子設備，電子設備包括存儲模塊和電源管理模塊，電源管理模塊和存儲模塊連接，電源管理模塊通過第一供電通路或者第二供電通路給存儲模塊供電，第一供電通路的供電電壓小于第二供電通路的供電電壓，該方法包括：在電源管理模塊通過第一供電通路給存儲模塊供電且存儲模塊以第一頻率工作的情況下，接受第一控制指令，第一控制指令用于控制存儲模塊切換至第二頻率工作；將第一供電通路的供電電壓提高第一預設值，并使存儲模塊以第一頻率工作第一預設時長；控制電源管理模塊通過第二供電通路給存儲模塊供電，以使存儲模塊以第二頻率工作。

技術領域

本申請屬于通信技術領域，更具體地，涉及一種供電方法、裝置、電子設備及可讀存儲介質。

背景技術

手機功耗是影響手機綜合使用時長的因素之一，雙倍速率同步動態隨機存儲器(Double?Data?Rate?Synchronous?Dynamic?Random-Access?Memory，DDR?SDRAM)的功耗作為手機功耗中的其中一種。其中，動態電壓頻率調節DVFSC機制為DDR對應的省功耗機制。參照圖1，當DDR工作在高頻率時僅開關K2導通，VDD2H為邏輯單元供電，當DDR工作在低頻率時僅開關K1導通，VDD2L為邏輯單元供電，通過為邏輯單元提供不同供電電壓以節省功耗。

參照圖1，開關K1存在寄生二極管P1，開關K2存在寄生二極管P2，當DDR工作在高頻率，VDD2H和VDD2L間存在電壓差導致寄生二極管P1導通，VDD2H漏電到VDD2L導致VDD2L進入保護狀態。當DDR切換到低頻率，開關K1導通，由于VDD2L不能及時退出保護狀態，引起DDR工作異常。基于此，可在VDD2L輸出端增加一個對地的下拉電阻，將泄漏到VDD2L的電通過下拉電阻泄放掉，以避免VDD2L進入保護狀態，然而，增加下拉電阻增加了成本和布局面積，且下拉電阻的存在增加功耗。

發明內容

本申請實施例的目的是提供一種供電方法、裝置、電子設備及可讀存儲介質，能夠在不增加硬件結構的基礎上解決DDR頻率切換時存在的漏電問題。

第一方面，本申請實施例提供一種供電方法，應用于電子設備，所述電子設備包括存儲模塊和電源管理模塊，所述電源管理模塊和所述存儲模塊連接，所述電源管理模塊通過第一供電通路或者第二供電通路給所述存儲模塊供電，所述第一供電通路的供電電壓小于所述第二供電通路的供電電壓，所述方法包括：

在所述電源管理模塊通過第一供電通路給所述存儲模塊供電且所述存儲模塊以第一頻率工作的情況下，接受第一控制指令，所述第一控制指令用于控制所述存儲模塊切換至第二頻率工作，所述第二頻率高于所述第一頻率；

將所述第一供電通路的供電電壓提高第一預設值，并使所述存儲模塊以第一頻率工作第一預設時長；

控制所述電源管理模塊通過第二供電通路給所述存儲模塊供電，以使所述存儲模塊以所述第二頻率工作。

第二方面，本申請實施例提供一種供電裝置，應用于電子設備，其特征在于，所述電子設備包括存儲模塊和電源管理模塊，所述電源管理模塊和所述存儲模塊連接，所述電源管理模塊通過第一供電通路或者第二供電通路給所述存儲模塊供電，所述第一供電通路的供電電壓小于所述第二供電通路的供電電壓，所述裝置包括：

接受模塊，用于在所述電源管理模塊通過第一供電通路給所述存儲模塊供電且所述存儲模塊以第一頻率工作的情況下，接受第一控制指令，所述第一控制指令用于控制所述存儲模塊切換至第二頻率工作，所述第二頻率高于所述第一頻率；

調整模塊，用于將所述第一供電通路的供電電壓提高第一預設值，并使所述存儲模塊以第一頻率工作第一預設時長；

控制模塊，用于控制所述電源管理模塊通過第二供電通路給所述存儲模塊供電，以使所述存儲模塊以所述第二頻率工作。