[發明專利]一種深紫外發光二極管的制備方法和深紫外發光二極管在審
| 申請號： | 202310594041.7 | 申請日： | 2023-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN116565075A | 公開（公告）日： | 2023-08-08 |
| 發明（設計）人： | 張毅;陳圣昌;岳金順;張駿 | 申請（專利權）人： | 蘇州紫燦科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 姜婷 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 深紫 發光二極管 制備 方法 | ||
1.一種深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，將雙通陽極氧化鋁模板轉移至一深紫外發光二極管外延結構中遠離襯底的一側表面上；
S20，在所述雙通陽極氧化鋁模板上形成抗刻蝕層；
S30，剝離所述雙通陽極氧化鋁模板；
S40，以所述抗刻蝕層為掩膜對所述深紫外發光二極管外延結構進行刻蝕，使所述深紫外發光二極管外延結構中的發光材料層形成量子點陣列101；
S50，去除所述抗刻蝕層。
2.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟S10中，所述深紫外發光二極管外延結構包括由下至上層疊設置的襯底、本征層、電子注入層、量子阱有源層、電子阻擋層以及空穴注入層。
3.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟S10中，所述雙通陽極氧化鋁模板的厚度范圍為10～500nm，所述雙通陽極氧化鋁模板的孔徑范圍為2～50nm。
4.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟S20中，所述抗刻蝕層的材料包括金、鎳、氧化硅或者氮化硅中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟S30中，通過高溫膠帶或者電鍍膠帶剝離所述雙通陽極氧化鋁模板。
6.根據權利要求2所述的深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟S40中，所述發光材料層包括所述電子注入層、所述量子阱有源層、所述電子阻擋層以及所述空穴注入層。
7.根據權利要求6所述的深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟S50之后還包括：采用強堿性溶液浸泡所述深紫外發光二極管外延結構。
8.根據權利要求7所述的深紫外發光二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟S50之后還包括：在所述電子注入層上設置N型電極，以及在所述空穴注入層上設置P型電極。
9.一種深紫外發光二極管，由如權利要求1至8任意一項所述的深紫外發光二極管的制備方法制備而成，其特征在于，所述深紫外發光二極管包括由下至上層疊設置的襯底、本征層、電子注入層、量子阱有源層、電子阻擋層以及空穴注入層；
其中，所述電子注入層、所述量子阱有源層、所述電子阻擋層以及所述空穴注入層均為量子點陣列。
10.根據權利要求9所述的深紫外發光二極管，其特征在于，所述量子點陣列中量子點的粒徑范圍在2～50nm。
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