[發明專利]熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件及其方法

在審

• 申請號: 202310586310.5
• 申請日: 2023-05-23
• 公開（公告）號: CN116598788A
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 張淑萍;李九生;郭風雷
• 申請（專利權）人: 新疆理工學院
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q15/02;H01Q15/14
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 傅朝棟;張法高

1.一種熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，包括正面陣列(1)、反面陣列(2)和中間二氧化釩層(3)，其中正面陣列(1)由m×n個正面子陣列(11)周期排布組成，反面陣列(2)由m×n個反面子陣列(12)周期排布組成；每個正面子陣列(11)由L×L個矩形硅柱(10)和聚酰亞胺介質層(9)組成，每個反面子陣列(12)由L×L個聚酰亞胺介質層(9)和橢圓硅柱(8)組成，正面子陣列(11)和反面子陣列(12)一一對應，以背靠背的形式分別設置于中間二氧化釩層(3)的兩側，形成L×L個單元結構，每個單元結構從一側到另一側依次由矩形硅柱(10)、聚酰亞胺介質層(9)、中間二氧化釩層(3)、聚酰亞胺介質層(9)和橢圓硅柱(8)復合而成。

2.如權利要求1所述的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，所述器件通過改變工作溫度實現太赫茲波雙透射與雙反射調控功能。

3.如權利要求1所述的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，所述器件的雙透射模式工作溫度為室溫，雙反射工作溫度為68℃。

4.如權利要求1所述的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，所述單元結構中，兩層聚酰亞胺(9)的尺寸和厚度相同，長寬高均為40μm～50μm。

5.如權利要求1所述的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，所述單元結構中，矩形硅柱(10)的長為30μm～40μm，寬為10μm～15μm，厚度為50μm～80μm。

6.如權利要求1所述的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，所述單元結構中，橢圓硅柱(8)的長軸為10μm～15μm，短軸為5μm～8μm，厚度為90μm～100μm。

7.根據權利要求1所述的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，所述單元結構中，中間二氧化釩層(3)的尺寸與兩側的聚酰亞胺(9)尺寸相同，厚度為5～10μm。

8.如權利要求1所述的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，所述m≥1，n≥1。

9.如權利要求1所述的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控器件，其特征在于，所述L≥2。

10.一種如權利要求1～9任一所述器件的熱控雙透射與雙反射相結合太赫茲調控方法，其特征在于，以所述矩形硅柱(10)的頂面作為第一太赫茲波入射端(4)和第一太赫茲波輸出端(5)，橢圓硅柱(8)的底面作為第二太赫茲波入射端(6)和第二太赫茲波輸出端(7)；

在工作溫度調控為室溫下，太赫茲波從第一太赫茲波入射端(4)入射，透射波從第一太赫茲波輸出端(5)以渦旋波束出射；太赫茲波從第二太赫茲波入射端(6)入射，透射波從第二太赫茲波輸出端(7)以渦旋波束出射；

在工作溫度調控為68℃時，太赫茲波從第一太赫茲波入射端(4)入射，反射波從第二太赫茲波輸出端(7)以渦旋波束出去；太赫茲波從第二太赫茲波入射端(6)入射，反射波從第一太赫茲波輸出端(5)以渦旋波束出去。