[發明專利]頂部間歇性摻雜的單晶爐及其摻雜方法有效

申請號：	202310572905.5	申請日：	2023-05-22
公開（公告）號：	CN116288658B	公開（公告）日：	2023-10-24
發明（設計）人：	陳偉;李林東;高偉杰;吳超慧;陳志軍;張鵬;丁云飛;許堃	申請（專利權）人：	蘇州晨暉智能設備有限公司
主分類號：	C30B15/04	分類號：	C30B15/04;C30B29/06
代理公司：	北京超凡宏宇知識產權代理有限公司 11463	代理人：	劉鋒
地址：	215000 江蘇省蘇州市自由貿易試驗區中國***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	頂部間歇性摻雜單晶爐及其方法
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【權利要求書】：

1.一種頂部間歇性摻雜的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐包括：

爐體（1）；

間隙性摻雜器（2），安裝在所述爐體（1）的喉口位置，所述間隙性摻雜器（2）包括相互連接、且可相對轉動的上盤（21）和下盤（22），所述上盤（21）上開設有多個第一通孔（211），所述第一通孔（211）內用于裝載摻雜劑，所述下盤（22）上開設有第二通孔（221），控制所述下盤（22）相對所述上盤（21）轉動，以使所述第二通孔（221）移動至所述第一通孔（211）的下方、釋放所述第一通孔（211）內的所述摻雜劑。

2.根據權利要求1所述的頂部間歇性摻雜的單晶爐，其特征在于，所述上盤（21）與所述下盤（22）同軸設置，所述下盤（22）可相對所述上盤（21）自轉，多個所述第一通孔（211）圍繞所述上盤（21）的中心間隔均勻設置，所述第二通孔（221）的數量為一個，所述第二通孔（221）與所述下盤（22）的中心的距離等于所述第一通孔（211）與所述上盤（21）的中心的距離。

3.根據權利要求2所述的頂部間歇性摻雜的單晶爐，其特征在于，所述下盤（22）相對于所述上盤（21）自轉的轉速范圍為：0.4轉/min~0.6轉/min。

4.根據權利要求1所述的頂部間歇性摻雜的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐還包括：

進氣管，所述進氣管位于所述上盤（21）的上方，在所述第一通孔（211）與所述第二通孔（221）連通時，所述進氣管用于將所述第一通孔（211）內的所述摻雜劑向下吹落。

5.根據權利要求4所述的頂部間歇性摻雜的單晶爐，其特征在于，所述進氣管用于吹出氬氣，所述進氣管的流量范圍為：80slpm~120slpm。

6.一種頂部間歇性摻雜方法，其特征在于，所述頂部間歇性摻雜方法采用權利要求1所述的頂部間歇性摻雜的單晶爐，所述頂部間歇性摻雜方法包括：

S1：在所述第一通孔（211）中裝入摻雜劑，此時，所述第二通孔（221）不與任一個所述第一通孔（211）連通，所述下盤（22）的本體充當全部所述第一通孔（211）的底部；

S2：在摻雜過程中，控制所述下盤（22）相對于所述上盤（21）自轉，以使所述第二通孔（221）逐個釋放所述第一通孔（211）內的所述摻雜劑。

7.根據權利要求6所述的頂部間歇性摻雜方法，其特征在于，S1包括：

模擬計算出逐次摻雜所需的摻雜量；

將逐次所需的摻雜量逐個裝入所述第一通孔（211）中；

S2包括：

根據逐次摻雜所需的摻雜量，控制所述第一通孔（211）逐個釋放所述摻雜劑。