[發(fā)明專利]一種控制直拉單晶液面距的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310558556.1 | 申請日: | 2023-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN116288662A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫晨光;孔凱斌;周宏邦;賈海洋;王淼;張強(qiáng);王彥君;婁中士;侯明超;劉偉 | 申請(專利權(quán))人: | 內(nèi)蒙古中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司;中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/20 | 分類號: | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 控制 直拉單晶 液面 方法 | ||
本發(fā)明提供一種控制直拉單晶液面距的方法,包括:進(jìn)入穩(wěn)溫工序時,調(diào)節(jié)液位檢測裝置至預(yù)設(shè)液面距高度;進(jìn)行硅溶液表面位置探測:判斷液位檢測裝置是否與硅溶液液面接觸,若是,則控制坩堝下降,否則,控制坩堝上升;重復(fù)上述步驟,直至停爐工序,停止液面距控制。本發(fā)明的有益效果是根據(jù)液位檢測裝置是否與硅溶液表面接觸來控制坩堝上升或下降,使得實際液面距與預(yù)設(shè)液面距相適應(yīng),在拉晶過程中實時調(diào)節(jié)實際液面距與預(yù)設(shè)液面距之間的關(guān)系,使得實際液面距與預(yù)設(shè)液面距保持動態(tài)平衡,使得實際液面距滿足拉晶工藝要求,保證液面距按照工藝要求準(zhǔn)確控制,保證直拉單晶尤其是IC級半導(dǎo)體單晶對溫度梯度的要求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于直拉單晶技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種控制直拉單晶液面距的方法。
背景技術(shù)
如圖3所示,目前液面距的控制是通過安裝在內(nèi)導(dǎo)流筒5上的石英小棒8來確定的,例如液面距要求20mm,則石英小棒8伸出外導(dǎo)流筒6下沿10mm,石英小棒8接觸硅溶液表面7后,坩堝9下降10mm,實現(xiàn)液面距20mm的定位。
使用石英小棒確定液面距的缺點:
石英小棒的安裝:如圖3所示,在內(nèi)導(dǎo)流筒5上打孔,將L型的石英小棒8一端卡入內(nèi)導(dǎo)流筒5,石英小棒8的安裝角度受開孔角度的影響。若開孔過大,可能導(dǎo)致石英小棒8松動搖擺,當(dāng)化料后發(fā)現(xiàn)石英小棒傾斜已經(jīng)太晚,無法確定液面距。
原料復(fù)投過程中:石英小棒可能被復(fù)投料砸斷或砸歪,導(dǎo)致液面距無法準(zhǔn)確確定。
定堝位過程中,不同操作員觀察到石英小棒8接觸硅溶液表面7的評判標(biāo)準(zhǔn)不同,因此坩堝的升降高度存在差異,導(dǎo)致人為誤差。
拉晶過程中,是通過CCD捕捉的像素值模擬的液面距,若過程中CCD鏡頭被移動,觀察窗口氧化物遮擋視野亮度變化,像素值修正等,均有可能導(dǎo)致單晶生長過程中實際液面距與像素值模擬的液面距有較大的差異。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,本發(fā)明提供一種控制直拉單晶液面距的方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的以上或者其他前者問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種控制直拉單晶液面距的方法,包括,
進(jìn)入穩(wěn)溫工序時,調(diào)節(jié)液位檢測裝置至預(yù)設(shè)液面距高度;
進(jìn)行硅溶液表面位置探測:判斷液位檢測裝置是否與硅溶液液面接觸,若是,則控制坩堝下降,否則,控制坩堝上升;
重復(fù)上述步驟,直至停爐工序,停止液面距控制。
進(jìn)一步的,進(jìn)行硅溶液表面位置探測步驟中,按照設(shè)定距離及設(shè)定速度移動坩堝,控制坩堝上升或下降,設(shè)定距離為0.1-1mm,設(shè)定速度為0.1-1mm/min。
進(jìn)一步的,每隔第一時間段進(jìn)行一次硅溶液表面位置探測,第一時間段為1-2min。
進(jìn)一步的,進(jìn)行硅溶液表面位置探測步驟中,按照設(shè)定比例控制堝跟比,控制坩堝上升或下降,設(shè)定比例為0.1-0.4。
進(jìn)一步的,每隔第二時間段進(jìn)行一次硅溶液表面位置探測,第二時間段為10-15min。
進(jìn)一步的,在拉晶前,對液位檢測裝置進(jìn)行零位校正。
進(jìn)一步的,液位檢測裝置的零位為液位檢測裝置與外導(dǎo)流筒下沿平齊的位置。
進(jìn)一步的,液位檢測裝置的檢測端延伸進(jìn)單晶爐內(nèi),并延伸至內(nèi)導(dǎo)流筒的下沿處。
進(jìn)一步的,液位檢測裝置為液位探針。
進(jìn)一步的,液位檢測裝置的位置通過位置檢測裝置檢測,位置檢測裝置為位置傳感器。
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