[發明專利]電池片鍍膜設備及方法

在審

• 申請號: 202310554264.0
• 申請日: 2023-05-16
• 公開（公告）號: CN116555718A
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 廣東利元亨智能裝備股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/56;H01J37/34
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 汪喆

本申請涉及電池片加工技術領域，尤其是涉及一種電池片鍍膜設備及電池片鍍膜方法，電池片鍍膜設備包括：多個工作腔，多個工作腔中包括鍍膜工藝腔；鍍膜組件，鍍膜組件設置于鍍膜工藝腔內；鍍膜組件包括磁體組件和靶材；磁體組件形成有強磁區和弱磁區，強磁區的磁場強度大于弱磁區的磁場強度；靶材對應強磁區的部分具有第一濺射速率，靶材對應弱磁區的部分具有與第一濺射速率不同的第二濺射速率。本申請提供的電池片鍍膜設備，對靶材濺射速率快的區域進行磁場強度降低，減少這部分區域對帶電粒子的束縛，降低了該區域的濺射速率，使對應區域電池片所鍍膜層厚度減小，提高載板上各區域內的電池片膜層厚度的一致性，有效提高電池片的性能和良品率。

技術領域

本申請涉及電池片加工技術領域，尤其是涉及一種電池片鍍膜設備及電池片鍍膜方法。

背景技術

PVD設備是為了在電池片制備透明導電薄膜。PVD即物理氣相沉積，采用磁控濺射技術，通過輝光放電，產生氬離子以不斷轟擊陰極靶材，陰極靶材對應的成分被轟擊濺射出來而沉積在電池片表面，從而實現濺射鍍膜。現有的鍍膜設備經常出現膜層在陰極靶兩端鍍膜區域和中間鍍膜區域膜厚不均勻的問題，影響鍍膜質量，也影響電池片的良品率。

發明內容

本申請的目的在于提供一種電池片鍍膜設備及電池片鍍膜方法，以在一定程度上解決現有技術中存在的現有的鍍膜設備對載板上不同位置的電池片所鍍膜層容易出現厚度不均勻的情況的技術問題。

本申請提供了一種電池片鍍膜設備，包括：多個工作腔，多個所述工作腔中包括鍍膜工藝腔；

鍍膜組件，所述鍍膜組件設置于所述鍍膜工藝腔內；所述鍍膜組件包括磁體組件和靶材；

所述磁體組件形成有強磁區和弱磁區，所述強磁區的磁場強度大于所述弱磁區的磁場強度；

所述靶材對應所述強磁區的部分具有第一濺射速率，所述靶材對應所述弱磁區的部分具有與所述第一濺射速率不同的第二濺射速率。

在上述技術方案中，進一步地，所述磁體組件呈長條狀，所述靶材呈柱狀，所述磁體組件與所述靶材平行設置；

所述磁體組件的一端形成第一弱磁區，所述磁體組件的另一端形成第二弱磁區，所述第一弱磁區與所述第二弱磁區之間的部分形成強磁區；

所述第一弱磁區對應所述靶材的一端的部分所述靶材設置，所述第二弱磁區對應所述靶材的另一端的部分所述靶材設置。

在上述任一技術方案中，進一步地，所述磁體組件包括：

承載體，所述承載體呈長條狀，所述承載體與所述鍍膜工藝腔或所述靶材固定；

磁芯，所述磁芯設置于所述承載體內；所述磁芯包括多個第一磁體和至少兩個封端磁體；

多個所述第一磁體分成多層設置，每一層中均包含多個所述第一磁體，任意兩層所述第一磁體均平行設置；

每一所述封端磁體均與多層中的頂層所述第一磁體和底層所述第一磁體抵接，所述封端磁體與所述第一磁體共同形成閉合結構。

在上述任一技術方案中，進一步地，所述第一弱磁區內設置有多個所述第一磁體和至少一個所述封端磁體；所述第二弱磁區內設置有多個所述第一磁體和至少一個所述封端磁體；所述強磁區內設置有多個所述第一磁體；所述強磁區內的所述第一磁體的數量多于第一弱磁區內所述第一磁體的數量，也多于所述第二弱磁區內所述第一磁體的數量。

在上述任一技術方案中，進一步地，所述靶材對應所述第一弱磁區的部分形成第一濺射區，所述靶材對應所述強磁區的部分形成第二濺射區，所述靶材對應所述第二弱磁區的部分形成第三濺射區；

所述第一弱磁區的磁場強度相較于所述強磁區的磁場強度每相差100GS，所述第一濺射區對應的所述電池片的膜層厚度相較于所述第二濺射區對應的所述電池片的膜層厚度減小2nm；