[發(fā)明專利]減少由于電壓降而導致的違例的方法、系統(tǒng)、設備、介質

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310540110.6
• 申請日: 2023-05-12
• 公開（公告）號: CN116578451A
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 上海壁仞智能科技有限公司
• 主分類號: G06F11/22
• 分類號: G06F11/22;G01R19/165;G06F1/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云;萬里晴

提供一種減少由于電壓降而導致的違例的方法、系統(tǒng)、電子設備、非暫時存儲介質。該方法包括：接收電路中的電壓降報告，其中所述電壓降報告指示具有電壓降違例的實例單元；基于所述電壓降報告進行電源和地線添加的步驟；確定被添加的電源和地線是否足夠；如果確定被添加的電源和地線足夠，則基于所述電壓降報告進行插入去耦單元的步驟。如此，可以節(jié)省修復電壓降的時間且達到足夠修復電壓降的效果。

技術領域

本申請涉及集成電路領域，更具體地，涉及一種減少由于電壓降而導致的違例的方法、系統(tǒng)、電子設備、非暫時存儲介質。

背景技術

芯片流片的一個必要步驟是電壓降(又稱，IR降(IR?drop))分析。IR降是指集成電路中電源網(wǎng)絡上的電壓降低，包括電源VDD中的電壓降和地電壓VSS中的電壓反彈。

集成電路設計通常假設在整個芯片上施加理想的電壓。然而，實際上，芯片上每單位面積電流的增加和更窄的金屬線寬度的結合將導致電源網(wǎng)格電阻的增加，從而導致電源網(wǎng)格內的局部電壓降，導致單元和晶體管處的電源電壓降低。

隨著工藝節(jié)點的推進，功率密度和導線電阻增加，而為了節(jié)省效能，供電電壓越來越小，這些加劇了IR降。

在IR降之后，門的開關速度變慢，性能降低。因此，對于高性能的設計，必須將IR降控制在很小的范圍內。在極端的情況下功能也會受影響，例如導致建立(setup)時間或者保持(hold)時間的違例。

在芯片測試階段，都會在最后將IR降的分析和減少作為芯片流片的一個必要步驟。

發(fā)明內容

根據(jù)本申請的一個方面，提供一種減少由于電壓降而導致的違例的方法，包括：接收電路中的電壓降報告，其中所述電壓降報告指示具有電壓降違例的實例單元；基于所述電壓降報告進行電源和地線添加的步驟；確定被添加的電源和地線是否足夠；如果確定被添加的電源和地線足夠，則基于所述電壓降報告進行插入去耦單元的步驟。

根據(jù)本申請的另一個方面，提供一種減少由于電壓降而導致的違例的系統(tǒng)，包括：接收電路中的電壓降報告的裝置，其中所述電壓降報告指示具有電壓降違例的實例單元；基于所述電壓降報告進行電源和地線添加的步驟的裝置；確定被添加的電源和地線是否足夠的裝置；如果確定被添加的電源和地線足夠，則基于所述電壓降報告進行插入去耦單元的步驟的裝置。

根據(jù)本申請的另一個方面，提供一種電子設備，包括：存儲器，用于存儲指令；處理器，用于讀取所述存儲器中的指令，并執(zhí)行根據(jù)本申請的實施例的方法。

根據(jù)本申請的另一個方面，提供一種非暫時存儲介質，其上存儲有指令，其中，所述指令在被處理器讀取時，使得所述處理器執(zhí)行根據(jù)本申請的實施例的方法。

如此，可以節(jié)省修復電壓降的時間且達到足夠修復電壓降的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1A示出了根據(jù)本申請的實施例的減少由于電壓降而導致的違例的方法的流程圖。

圖1B示出了根據(jù)本申請的實施例的減少由于電壓降而導致的違例的另一方法的流程圖。

圖2示出了根據(jù)本申請的實施例的減少由于電壓降而導致的違例的另一方法的更具體的流程圖。

圖3A示出了根據(jù)本申請的實施例的電源和地線添加的示意圖。

圖3B示出了根據(jù)本申請的實施例的縮小單元的尺寸的示意圖。

圖3C示出了根據(jù)本申請的實施例的分割負載的示意圖。