[發(fā)明專利]應(yīng)用于固態(tài)量子器件的鈍化方法、鈍化系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310539660.6 | 申請(qǐng)日: | 2023-05-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116259691B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 霍永恒;趙軍一;鐘東勳;劉潤(rùn)澤;潘建偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L33/00 | 分類號(hào): | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 孫蕾 |
| 地址: | 230026 安*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 應(yīng)用于 固態(tài) 量子 器件 鈍化 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種應(yīng)用于固態(tài)量子器件的鈍化方法,其特征在于,包括:
采用硫化氫鈍化法對(duì)預(yù)處理后的固態(tài)量子器件進(jìn)行第一次鈍化處理,以將所述固態(tài)量子器件表面的本征氧化物置換為硫化物,以形成第一鈍化層;
采用原子層沉積法對(duì)經(jīng)第一次鈍化處理后的固態(tài)量子器件進(jìn)行第二次鈍化處理,以在所述第一鈍化層上沉積氧化物,形成第二鈍化層,以有效去除固態(tài)量子器件表面的表面態(tài),提升固態(tài)量子器件的光學(xué)品質(zhì);
所述固態(tài)量子器件包括固態(tài)量子點(diǎn)量子光源器件;
所述第一次鈍化處理包括:
在紫外燈照射下,將所述固態(tài)量子器件置于硫化氫鈍化裝置的真空腔室內(nèi);
在硫化氫氣氛、第一預(yù)設(shè)反應(yīng)溫度條件下,發(fā)生置換反應(yīng),以將所述固態(tài)量子器件表面的本征氧化物置換為硫化物,形成致密、均勻的所述第一鈍化層;所述第一預(yù)設(shè)反應(yīng)溫度為80~200℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,所述紫外燈的發(fā)光波長(zhǎng)中心在180nm,所述紫外燈的功率為8~40W。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈍化方法,其特征在于,所述第二次鈍化處理包括:
將經(jīng)第一次鈍化處理后的固態(tài)量子器件轉(zhuǎn)移至原子層沉積設(shè)備的真空腔室內(nèi),在所述第一鈍化層上沉積氧化物,形成所述第二鈍化層;
所述氧化物包括氧化鋁、氧化硅、氧化鉿中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈍化方法,其特征在于,在所述第一鈍化層上沉積氧化鋁包括:
利用三甲基鋁和水在所述第一鈍化層上沉積氧化鋁薄膜,沉積過(guò)程包括多個(gè)反應(yīng)周期。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈍化方法,其特征在于,每個(gè)所述反應(yīng)周期包括:
在第二預(yù)設(shè)反應(yīng)溫度條件下,在氮?dú)獾臄y帶下,通入0.01~0.03秒的水,再利用氮?dú)獯祾?5~30秒;
在氮?dú)獾臄y帶下,通入0.01~0.03秒的三甲基鋁,再利用氮?dú)獯祾?5~30秒;
所述第二預(yù)設(shè)反應(yīng)溫度范圍在50~200℃之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈍化方法,其特征在于,所述硫化氫鈍化裝置與所述原子層沉積設(shè)備通過(guò)手套箱連接;
其中,預(yù)處理后的固態(tài)量子器件的轉(zhuǎn)移和經(jīng)第一次鈍化處理后的固態(tài)量子器件的轉(zhuǎn)移都在所述手套箱中進(jìn)行,控制所述手套箱內(nèi)環(huán)境中的水含量、氧含量在0.1ppm以下,以避免所述預(yù)處理后的固態(tài)量子器件和所述經(jīng)第一次鈍化處理后的固態(tài)量子器件在轉(zhuǎn)移過(guò)程中發(fā)生再次氧化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈍化方法,其特征在于,在采用硫化氫鈍化法對(duì)固態(tài)量子器件進(jìn)行第一次鈍化處理之前,將待鈍化的固態(tài)量子器件置于酸溶液中進(jìn)行預(yù)處理,包括:
將所述待鈍化的固態(tài)量子器件浸蘸于氫氟酸中2~3秒,然后用去離子水沖洗所述待鈍化的固態(tài)量子器件,氮?dú)獯蹈伤龃g化的固態(tài)量子器件的表面,得到所述預(yù)處理后的固態(tài)量子器件;
氫氟酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%。
8.一種鈍化系統(tǒng),適用于實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1~7中的任一項(xiàng)所述的鈍化方法,其特征在于,包括:
硫化氫鈍化裝置,適用于對(duì)預(yù)處理后的固態(tài)量子器件進(jìn)行第一次鈍化處理,以將所述固態(tài)量子器件表面的本征氧化物置換為硫化物,以形成第一鈍化層;
原子層沉積設(shè)備,適用于對(duì)經(jīng)第一次鈍化處理后的固態(tài)量子器件進(jìn)行第二次鈍化處理,以在所述第一鈍化層上沉積氧化物,以形成第二鈍化層;
手套箱,適用于連接所述硫化氫鈍化裝置和所述原子層沉積設(shè)備,以避免所述固態(tài)量子器件和所述經(jīng)第一次鈍化處理后的固態(tài)量子器件在轉(zhuǎn)移過(guò)程中發(fā)生再次氧化。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈍化系統(tǒng),其特征在于,所述硫化氫鈍化裝置內(nèi)設(shè)有:
反應(yīng)腔,利用機(jī)械泵和分子泵控制所述反應(yīng)腔在預(yù)設(shè)真空度;
紫外燈,所述紫外燈的中心波長(zhǎng)為180nm,設(shè)置在所述反應(yīng)腔的上部,通過(guò)石英窗與所述反應(yīng)腔隔絕,適用于向所述反應(yīng)腔照射紫外光;
樣品臺(tái),設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi),適用于放置所述固態(tài)量子器件;
加熱臺(tái),設(shè)置在所述樣品臺(tái)的下部,適用于對(duì)所述固態(tài)量子器件加熱;
第一進(jìn)氣氣路,適用于向所述反應(yīng)腔中通入硫化氫,硫化氫在紫外光的照射下,產(chǎn)生帶自由基的硫原子,硫原子在所述固態(tài)量子器件表面發(fā)生置換反應(yīng),沉積得到硫化物;
第二進(jìn)氣氣路,適用于向所述反應(yīng)腔中通入氮?dú)猓?/p>
所述預(yù)設(shè)真空度在1E-5?torr以下。
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