[發明專利]一種基于薄膜鈮酸鋰的TE模和TM模分離的偏振分束器芯片

在審

• 申請號: 202310525328.4
• 申請日: 2023-05-11
• 公開（公告）號: CN116520493A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 徐濤;黃大駿;鄭韶輝
• 申請（專利權）人: 浙江九州量子信息技術股份有限公司
• 主分類號: G02B6/125
• 分類號: G02B6/125;G02B6/10;G02B6/126;G02B6/14;G02B6/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于薄膜鈮酸鋰的TE模和TM模分離的偏振分束器芯片，其特征在于，所述偏振分束器芯片包括設置在鈮酸鋰基上的上支路波導與下支路波導，所述上支路波導包括上支路輸入直波導、上支路輸出直波導、上支路sin型輸入彎波導、上支路sin型輸出彎波導以及上支路定向耦合區直波導，所述下支路波導包括、下支路輸出直波導、下支路sin型輸出彎波導以及下支路定向耦合區直波導；所述上支路定向耦合區直波導的一端對應于與所述上支路sin型輸入彎波導的一端連接，所述上支路定向耦合區直波導另一端對應與所述上支路sin型輸出彎波導的一端連接；所述上支路sin型輸入彎波導另外一端對應與所述上支路輸入直波導連接，所述上支路sin型輸出彎波導的另外一端對應與所述上支路輸出直波導連接。所述下支路定向耦合區直波導右端與所述下支路sin型輸出彎波導的一端連接，所述下支路sin型輸出彎波導的另外一端對應與所述下支路輸出直波導連接。

2.如權利要求1所述的基于薄膜鈮酸鋰的TE模和TM模分離的偏振分束器芯片，其特征在于，所述上支路定向耦合區與下支路定向耦合區采用脊型光波導。

3.如權利要求1所述的基于鈮酸鋰的TE模和TM模分離的偏振分束器芯片，其特征在于，所述入射光中包括兩種不同偏振的光為TE入射光與TM入射光，其中，TE入射光從上支路波導的上支路輸入直波導傳入，從下支路波導的下支路輸出直波導傳出，TM入射光沿從上支路波導的上支路輸入直波導傳入，從上支路波導的上支路輸出直波導傳出，兩種不同偏振的光在兩個支路定向耦合區內的光耦合長度滿足?L_C^TM:?L_C^TE＝(n+l):n，其中，n為正整數，l為奇數，L_C^TM和L_C^TE分別為兩種不同偏振的光在定向耦合區光波導內的耦合長度。

4.如權利要求3所述的基于鈮酸鋰的TE模和TM模分離的偏振分束器芯片，其特征在于，所述兩個支路定向耦合區的長度為L＝(n+l)*?L_C^TM＝n*L_C^TE，L為所述定向耦合區的長度。

5.如權利要求1或2或3或4所述的基于鈮酸鋰的TE模和TM模分離的偏振分束器芯片，其特征在于，所述上支路輸入直波導、上支路輸出直波導、上支路sin型輸入彎波導、上支路sin型輸出彎波導、定向耦合區直波導以及下支路輸出直波導、下支路sin型輸出彎波、下支路定向耦合區直波導均為脊波導。

6.如權利要求1或2或3或4所述的基于鈮酸鋰的TE模和TM模分離的偏振分束器芯片，其特征在于，所述上支路輸入直波導、上支路輸出直波導、上支路sin型輸入彎波導、上支路sin型輸出彎波導、定向耦合區直波導以及下支路輸出直波導、下支路sin型輸出彎波、下支路定向耦合區直波導的材料均為電介質、半導體或有機物中的一種或多種。