[發明專利]一種芯片排晶方法及其裝置有效
| 申請號: | 202310522495.3 | 申請日: | 2023-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN116247000B | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 彭孟菲;胡恒廣;閆冬成;賴余盟;周一航;黃星樺;劉開懷 | 申請(專利權)人: | 河北光興半導體技術有限公司;東旭科技集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京格式化知識產權代理事務所(普通合伙) 16096 | 代理人: | 周君 |
| 地址: | 050000 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 方法 及其 裝置 | ||
本申請提供一種芯片排晶方法及其裝置,涉及芯片排晶技術領域。該方法包括:將載有待排芯片的載體與待置組件之間的距離劃分為預升高度和留白高度;所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度;以第一速度將待排芯片頂升所述預升高度;監測到達所述預升高度后的待排芯片與所述待置組件之間實際間隙的實際高度值;以第二速度頂升待排芯片上升所述實際高度值。本方法將芯片排晶過程中的頂起操作分為兩步,并在第二次頂升前檢測待排芯片與待置組件之間的實際間隙高度值。這樣通過檢測到的實際間隙高度值可以精準把控芯片被繼續頂升的高度,以使芯片恰好貼置待置組件上,避免芯片因上升高度不精準而導致的排晶漏排或芯片暗傷的問題。
技術領域
本發明涉及芯片排晶技術領域,尤其涉及一種芯片排晶方法及其裝置。
背景技術
Mini/Micro?LED顯示技術是指以自發光的微米量級的LED為發光像素單元,將其組裝到驅動面板上形成高密度LED陣列的顯示技術。由于micro?LED芯片尺寸小、集成度高和自發光等特點,其顯示方面與LCD、OLED相比在亮度、分辨率、對比度、能耗、使用壽命、響應速度和熱穩定性等方面具有更大的優勢。
然而,在利用微型LED芯片的過程中,微型LED芯片的批量轉移一直是影響其產業化生產一大難點,而微型LED顯示器必須經過大量重復轉移的制程,才能使晶圓上的LED芯片切實運用到顯示器上。
在現有的轉移技術中,為了確保芯片在轉移至玻璃面板上后仍然為合格芯片,專利CN2022105249814采用在轉移至玻璃面板前增設檢測芯片是否合格的技術手段。但在實際操作中,即使轉移前檢測到芯片為合格芯片,但最后的排晶結果中仍存在芯片暗傷或漏排的問題。
發明內容
本發明所要解決的一個技術問題是:現有排晶過程中存在的排晶漏排和芯片暗傷的問題。
為解決上述技術問題,第一方面,本發明實施例提供一種芯片排晶方法,所述方法包括:
將載有待排芯片的載體與待置組件之間的距離劃分為預升高度和留白高度;所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度;
將待排芯片頂升所述預升高度;
監測到達所述預升高度后的待排芯片與所述待置組件之間實際間隙的實際高度值;
將到達所述預升高度后的待排芯片頂升所述實際高度值,排置待置組件上。
在一些實施例中,待排芯片以第一速度被頂升所述預升高度,待排芯片以第二速度頂升所述實際高度值;其中,所述第二速度為勻速;所述第一速度的平均速度大于所述第二速度。
在一些實施例中,所述預升高度大于所述留白高度。
在一些實施例中,所述第一速度和所述第二速度由先導電磁閥控制。
在一些實施例中,在將載有待排芯片的載體與待置組件之間的距離劃分為預升高度和留白高度之前,所述方法還包括:
確定待置組件中的待排晶范圍,并在所述排晶范圍中確定排晶基準點;
確定載體上預排芯片范圍,并確定首顆待排芯片;
按照所述排晶基準點與所述待排芯片的對應位置,將所述待置組件移至所述載體上方的作業位置。
在一些實施例中,在所述將待排芯片頂升所述預升高度之前,所述方法還包括:
檢測待排芯片是否無損;
若待排芯片有損,則將所述排晶基準點移至與下一待排芯片對應的作業位置。
第二方面,本發明提供了一種芯片排晶裝置,所述裝置包括:
高度劃分組件,用于將載有待排芯片的載體與待置組件之間的距離劃分為預升高度和留白高度;所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





