[發(fā)明專利]具有加熱盤調平功能的薄膜沉積設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310519309.0 | 申請日: | 2023-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN116240528B | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉亞 | 申請(專利權)人: | 無錫金源半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 譚云 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)菱*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 加熱 盤調平 功能 薄膜 沉積 設備 | ||
本發(fā)明涉及薄膜沉積設備技術領域,公開了具有加熱盤調平功能的薄膜沉積設備,包括:反應室、加熱盤、套筒和調平機構,反應室內設有反應腔,加熱盤底面設有連接軸,連接軸適于插入密封套內。套筒設置在反應室的底部,套筒上開設多個調節(jié)孔。調平機構包括:調節(jié)軸、調節(jié)盤和調節(jié)件,調節(jié)軸穿入貫穿孔,調節(jié)軸的連接端與加熱盤連接,調節(jié)軸的調節(jié)端設有調節(jié)盤。調節(jié)件上設有調節(jié)部,調節(jié)部用于支撐調節(jié)盤,調節(jié)件適于沿調節(jié)孔的軸向方向移動使得加熱盤調平。本發(fā)明通過移動調節(jié)件使調節(jié)件沿調節(jié)孔的軸向方向移動,帶動調節(jié)軸移動,使得傾斜的加熱盤表面調整為水平狀態(tài),使晶圓放置在水平的加熱盤表面進行薄膜沉積,保證晶圓沉積質量。
技術領域
本發(fā)明涉及薄膜沉積設備技術領域,具體涉及具有加熱盤調平功能的薄膜沉積設備。
背景技術
薄膜沉積是晶圓加工制造中重要的一環(huán),其通過薄膜沉積設備在晶圓表面形成薄膜。化學氣相薄膜沉積設備是其中的一種,其通過將晶圓放置在反應腔室內,將反應氣體通過氣體分配盤進入反應腔,并使用射頻裝置將反應氣體等離子化,反應腔內的加熱盤提供晶圓反應所需的溫度,使晶圓上沉積薄膜。
現(xiàn)有技術中,氣體分配盤位于晶圓的上方,從上向下對承載在加熱盤上的晶圓噴出反應氣體,若加熱盤的上表面不水平,則會導致晶圓的上表面不平整,擺放不平的晶圓在沉積過后,其表面的薄膜是不均勻的,無疑,這樣的晶圓是失敗品,因此,保證加熱盤上表面水平至關重要。
加熱盤包括圓盤以及圓盤底部的空心軸,圓盤內部預埋有發(fā)熱用的電阻絲,電阻絲從空心軸的底端引出。目前,反應腔的底部中心處設置有直徑遠大于空心軸的圓孔,空心軸的底端伸入圓孔內,在圓孔的周邊采用一組治具固定空心軸的底部,從而固定加熱盤,然而,加熱盤的規(guī)格與晶圓的規(guī)格息息相關,加熱不同的晶圓需要采用不同的加熱盤,即不同的加熱盤其形狀尺寸均不相同。因此,當采用一組治具來固定裝夾加熱盤時,一方面,各個治具在組裝并安裝加熱盤后,加熱盤的上表面水平度是固定的,當加熱盤上表面略微傾斜時,無法改變;另一方面,無法做到適應不同規(guī)格的加熱盤。加熱盤上表面調平存在難點。
發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種具有加熱盤調平功能的薄膜沉積設備,以解決晶圓放置在傾斜的加熱盤表面進行薄膜沉積,導致晶圓薄膜沉積不均勻的問題。
本發(fā)明提供了一種具有加熱盤調平功能的薄膜沉積設備,包括:
反應室,內設有反應腔,所述反應室底部設有中心通孔,所述中心通孔中安裝有密封套;
加熱盤,底面設有連接軸,所述連接軸適于插入所述密封套內并延伸出所述密封套;
套筒,一端固設于所述反應室的底部,另一端固設有底板,所述底板上開設貫穿孔,所述底板上開設多個調節(jié)孔;
調平機構,包括調節(jié)軸、調節(jié)盤和調節(jié)件,所述調節(jié)軸穿過所述貫穿孔并與所述連接軸的底部抵接,所述調節(jié)軸位于所述底板外的一端與所述調節(jié)盤固定連接,所述調節(jié)盤上對應所述調節(jié)孔開設第一通孔;所述調節(jié)件的一端設有調節(jié)部,所述調節(jié)部支撐所述調節(jié)盤,所述調節(jié)件的一端穿過所述第一通孔設于對應的所述調節(jié)孔中,適于通過調節(jié)所述調節(jié)件沿所述調節(jié)孔的軸向方向移動使得所述加熱盤調平。
通過移動調節(jié)件使調節(jié)件沿調節(jié)孔的軸向方向移動,使得調節(jié)盤發(fā)生相應的移動微調,調節(jié)盤進一步帶動調節(jié)軸移動,通過調節(jié)軸的移動帶動加熱盤移動,使得傾斜的加熱盤表面調整為水平狀態(tài),使晶圓放置在水平的加熱盤表面進行薄膜沉積,保證晶圓沉積質量。
在一種可選的實施方式中,所述調節(jié)件包括桿體,所述桿體與所述調節(jié)部連接,所述調節(jié)部與所述桿體連接的端面設置為球面,所述桿體上設有緊固件,所述緊固件與所述調節(jié)部球面相對的表面設有球面,所述調節(jié)盤與調節(jié)部之間設有第一球形件,所述第一球形件與所述調節(jié)部球面的接觸面為球面,所述調節(jié)盤與緊固件之間設有第二球形件,所述第二球形件與所述緊固件球面的接觸面為球面。
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C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





