[發(fā)明專利]基板研磨方法及基板的金屬層的去除方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310514748.2
• 申請日: 2018-05-02
• 公開（公告）號: CN116330148A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設計）人: 福永明;渡邊和英;小畠嚴貴;辻村學
• 申請（專利權）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: B24B37/005
• 分類號: B24B37/005;H01L21/768;B24B37/04;H01L21/66;B24B37/015;H01L21/321
• 代理公司: 上海華誠知識產(chǎn)權代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

本發(fā)明的目的在于使具有凹凸的基板平坦化。本發(fā)明提供一種對基板進行化學機械性研磨的方法，該方法具有：使用處理液來研磨基板的步驟；及變更有助于基板的研磨的所述處理液的有效成分濃度的步驟。

本申請是下述申請的分案申請：

申請?zhí)枺?01880034573.2

申請日：2018年05月02日

發(fā)明名稱：基板研磨裝置及基板研磨方法

技術領域

本發(fā)明關于基板研磨裝置及基板研磨方法。

背景技術

近年來，為了對處理對象物(例如半導體基板等基板，或是形成于基板表面的各種薄膜)進行各種處理，而使用處理裝置。作為處理裝置的一例，可舉例如用以對處理對象物進行研磨處理等的化學機械研磨(CMP：ChemicalMechanical?Polishing)裝置。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-235901號公報

發(fā)明內(nèi)容

目前在半導體裝置的制造中，對于各步驟要求的精度已達到數(shù)nm的等級，即使CMP也不例外。又，隨著半導體集成電路的形成的高集成化、微細化、多層化的發(fā)展也越來越快速。形成實現(xiàn)微細化的多層配線構造的情況中，即使配線表面僅具有些微的高低差亦不可輕視，形成于表面的凹凸會引起各種缺陷。于是，半導體裝置的制造過程的研磨中，要求數(shù)nm等級的平坦化，并以原子層等級要求基板研磨的控制性。

[解決問題的技術手段]

[方式1]根據(jù)方式1，提供一種基板研磨方法，對基板進行化學機械性研磨，該基板研磨方法的特征在于，包含如下步驟：使用處理液來研磨基板的步驟；及變更有助于基板的研磨的所述處理液的有效成分的濃度的步驟。

[方式2]根據(jù)方式2，在方式1的方法中，所述處理液的有效成分具有下述至少一者：(1)使基板的被研磨層氧化的成分、(2)使基板的被研磨層溶解的成分、及(3)使基板的被研磨層剝離的成分。

[方式3]根據(jù)方式3，在方式1或方式2的方法中，還具有測定基板的被研磨層的厚度的步驟，根據(jù)測定出的基板的被研磨層的厚度，變更所述處理液的有效成分的濃度。

[方式4]根據(jù)方式4，在方式1或方式2的方法中，還具有測定所述處理液的pH的步驟，根據(jù)測定出的處理液的pH，變更所述處理液的有效成分的濃度。

[方式5]根據(jù)方式5，在方式1或方式2的方法中，所述處理液包含磨粒，所述基板研磨方法具有測定所述處理液中的磨粒濃度的步驟，根據(jù)測定出的磨粒濃度，變更所述處理液的有效成分的濃度。

[方式6]根據(jù)方式6，在方式1至方式5中任一方式的方法中，通過以純水稀釋所述處理液，從而變更所述處理液的有效成分的濃度。

[方式7]根據(jù)方式7，在方式1、2及4中任一方式的方法中，所述處理液具有氧化性成分，通過添加用于抑制所述處理液的氧化作用的還原劑，從而實際有效地變更該處理液的氧化性成分的濃度。

[方式8]根據(jù)方式8，在方式1、2及4中任一方式的方法中，所述處理液具有酸作為溶解性成分，通過在所述處理液中添加堿劑，從而變更溶解性成分濃度。

[方式9]根據(jù)方式9，在方式1、2及4中任一方式的方法中，所述處理液具有堿作為溶解性成分，通過在所述處理液中添加酸，從而變更溶解性成分濃度。

[方式10]根據(jù)方式10，提供一種基板研磨方法，對基板進行化學機械性研磨，該基板研磨方法的特征在于，具有如下步驟：使用處理液來研磨基板的步驟；及在基板的研磨中變更處理液的溫度的步驟。