[發明專利]太陽能電池、太陽能電池片和光伏組件有效
| 申請號: | 202310512207.6 | 申請日: | 2023-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN116230783B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發明(設計)人: | 楊廣濤;陳達明;陳奕峰 | 申請(專利權)人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/06 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 213031 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 組件 | ||
本申請提供一種太陽能電池、太陽能電池片和光伏組件。該太陽能電池包括:襯底,具有相對的第一表面和第二表面,第二表面具有沿第一方向相鄰的第一區域和第二區域;第一鈍化層,設置于第一表面;第一摻雜層和隧穿氧化層,依次層疊設置于第一區域;第一絕緣層,設置于第一摻雜層遠離襯底的表面;第二鈍化層,設置于第二區域,且延伸至第一絕緣層遠離襯底的表面;以及第二摻雜層,設置于第二鈍化層離襯底的表面。本申請的太陽能電池和太陽能電池片使用隧穿氧化層?摻雜多晶硅層對電池進行鈍化,提高了電池的光電轉換效率。
技術領域
本申請主要涉及光伏技術領域,具體地涉及一種太陽能電池、太陽能電池片和光伏組件。
背景技術
隨著太陽能電池技術的發展,越來越多類型的太陽能電池被研發出來。目前,太陽能電池類型主要包括鈍化發射區背接觸電池(Passivated?Emitter?and?Rear?Contact?,PERC)、隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池(Tunnel?Oxide?Passivated?Contact,?TOPCON)、異質結太陽能電池(Hetero-Junction?with?Intrinsic?Thin?Film,?HIT)和叉指背接觸電池技術(Interdigitated?Back?Contact,?IBC)等等。其中,PERC電池作為當前市場中主流的太陽能電池類型,其量產效率已經接近理論極限。雖然隨著太陽能電池技術的發展,太陽能電池的光電轉換效率逐漸增加,但市場對更高光電轉換效率的追求是永不止步的。
發明內容
本申請要解決的技術問題是提供一種太陽能電池、太陽能電池片和光伏組件,該太陽能電池、太陽能電池片和光伏組件具有較高的光電轉換效率。
本申請為解決上述技術問題而采用的技術方案是一種太陽能電池,包括:襯底,具有相對的第一表面和第二表面,所述第二表面具有沿第一方向相鄰的第一區域和第二區域;第一鈍化層,設置于所述第一表面;第一摻雜層和隧穿氧化層,依次層疊設置于所述第一區域;第一絕緣層,設置于所述第一摻雜層遠離所述襯底的表面;第二鈍化層,設置于所述第二區域,且延伸至所述第一絕緣層遠離所述襯底的表面;以及第二摻雜層,設置于所述第二鈍化層遠離襯底的表面。
在本申請一實施例中還包括:第一透明導電層,設置于所述第二摻雜層遠離所述襯底的表面。
在本申請一實施例中還包括:第一隔離槽和第二隔離槽,所述第一隔離槽和所述第二隔離槽沿所述第一方向間隔設置,且貫穿與所述第一區域對應的第一透明導電層。
在本申請一實施例中還包括:第一柵線和第二柵線,所述第一柵線貫穿所述第一絕緣層,且與所述第一摻雜層接觸,所述第二柵線與所述第二區域的第一透明導電層接觸,其中,所述第一隔離槽和所述第二隔離槽沿所述第一方向分布在所述第一柵線的兩側。
在本申請一實施例中,所述第一隔離槽深入至所述第一摻雜層遠離襯底的表面,和/或所述第二隔離槽深入至所述第一摻雜層遠離襯底的表面。
在本申請一實施例中,所述第一隔離槽深入所述第一摻雜層內部,且不貫穿所述第一摻雜層,和/或所述第二隔離槽深入所述第一摻雜層內部,且不貫穿所述第一摻雜層。
在本申請一實施例中還包括:第二絕緣層,沿所述第一方向設置于所述第二鈍化層與所述第一摻雜層和所述隧穿氧化層之間,所述第二絕緣層遠離襯底的側面與所述第一絕緣層接觸。
在本申請一實施例中,所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一種或多種。
在本申請一實施例中,所述第一區域和所述第二區域在所述襯底的厚度方向上具有高度差。
在本申請一實施例中還包括:第一擴散層,設置于所述第一表面,所述第一鈍化層設置于所述第一擴散層遠離襯底的表面。
在本申請一實施例中還包括:第二擴散層,設置于所述第一區域,所述第一摻雜層和所述隧穿氧化層依次層疊設置于所述第二擴散層遠離襯底的表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





