[發明專利]基于伴隨方程的RCS敏感度及設計變量梯度計算方法在審
| 申請號： | 202310508896.3 | 申請日： | 2023-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN116595636A | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發明（設計）人： | 周琳;黃江濤;陳憲;鄧俊;鐘世東;劉剛 | 申請（專利權）人： | 中國空氣動力研究與發展中心空天技術研究所 |
| 主分類號： | G06F30/15 | 分類號： | G06F30/15;G06F30/20 |
| 代理公司： | 重慶市信立達專利代理事務所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 張麗楠 |
| 地址： | 621000 *** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 伴隨 方程 rcs 敏感度 設計 變量 梯度 計算方法 | ||
1.基于伴隨方程的RCS敏感度及設計變量梯度計算方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、基于自動微分技術對阻抗矩陣、激勵向量偏導數進行計算：
采用基于RWG基函數的矩量法求解麥克斯韋積分方程，將阻抗矩陣偏導數的計算表示成積分項int1、int2和res1、res2、res3的組合；
其中，積分項int1和int2的表達式為：
乘積項res1、res2和res3的表達式為：
則為res1、res2和res3的線性組合；以此將阻抗矩陣偏導數的計算嵌入阻抗矩陣填充循環，實現阻抗元素偏導數的計算；
S2、基于稀疏矩陣存儲技術對阻抗矩陣偏導數進行存儲：
每一阻抗矩陣元素Zmn的計算至多只與基函數m和基函數n相連的四個三角形，共8個表面網格點的位置有關；
采用稀疏矩陣存儲技術存儲時，建立維度為Ne×Ne×8的整型數組Index存儲與Zmn相關的8個網格點的編號，建立維度為Ne×Ne×8的復數矩陣存儲的值；其中，Ne為基函數數量；
S3、基于伴隨方程對表面敏感度進行計算：
麥克斯韋積分方程的伴隨方程為：
式中，Z為麥克斯韋積分方程阻抗矩陣，Λ為伴隨變量，為雷達散射截面σ關于感應電流I的偏導數；
求解伴隨方程得到伴隨變量Λ，并根據下式計算RCS的表面敏感度：
式中，x為表面網格坐標，dσ/dx為RCS的表面敏感度，和分別為RCS和激勵向量關于表面網格坐標的偏導數；
S4、基于表面敏感度對設計變量梯度進行計算：
根據S3計算得到的表面敏感度，采用下式計算得到設計變量梯度：
式中，D為設計變量，Np為表面網格數量。
2.根據權利要求1所述的基于伴隨方程的RCS敏感度及設計變量梯度計算方法，其特征在于：在S3中，采用稀疏矩陣的矩陣-向量相乘技術計算得到。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國空氣動力研究與發展中心空天技術研究所，未經中國空氣動力研究與發展中心空天技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310508896.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種全自動真空塞孔設備
- 下一篇：一種雙靶點抑菌光敏化合物的制備方法及其應用
