[發明專利]一種單晶爐用導流筒、制備方法及單晶爐

有效

• 申請號: 202310507657.6
• 申請日: 2023-05-08
• 公開（公告）號: CN116219532B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 陳志軍;陳偉;李林東;吳超慧;張鵬;丁云飛;許堃;盧亮
• 申請（專利權）人: 蘇州晨暉智能設備有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 黃亞茹

1.一種單晶爐用導流筒，其特征在于，包括：

外導流筒（1），所述外導流筒（1）自上而下包括第一直筒段（101）和第一錐筒段（102），所述第一錐筒段（102）從上到下漸縮；

內導流筒（2），所述內導流筒（2）自上而下包括第二直筒段（201）和第二錐筒段（202），所述第二錐筒段（202）從上到下漸縮，所述第二錐筒段（202）的底部和所述第一錐筒段（102）的底部相連接，所述第二直筒段（201）的豎直高度小于所述第一直筒段（101）的豎直高度；

碳氈填充區（3），所述碳氈填充區（3）包括溫度梯度增強區（301）和斜向低溫度梯度區（302），所述溫度梯度增強區（301）和斜向低溫度梯度區（302）位于所述外導流筒（1）和所述內導流筒（2）之間的空腔區，所述溫度梯度增強區（301）位于所述第二直筒段（201）與所述外導流筒（1）之間的空腔區，所述斜向低溫度梯度區（302）位于所述第二錐筒段（202）與所述外導流筒（1）之間的空腔區；

其中，所述碳氈填充區（3）填充有高密度碳氈層（4）和圍繞所述高密度碳氈層（4）填充的低密度碳氈層（5），所述低密度碳氈層（5）為豎直設置，所述溫度梯度增強區（301）填充有水平設置和豎直設置的所述高密度碳氈層（4），所述斜向低溫度梯度區（302）填充有傾斜設置的所述高密度碳氈層（4），傾斜設置的所述高密度碳氈層（4）的傾斜方向與所述第二錐筒段（202）的傾斜方向相同；

水平設置、豎直設置和傾斜設置的所述高密度碳氈層（4）的密度為0.17g/cm³-0.24g/cm³，所述低密度碳氈層（5）的密度為0.08g/cm³-0.16g/cm³。

2.根據權利要求1所述的導流筒，其特征在于，所述溫度梯度增強區（301）沿豎直方向間隔填充有2~8個水平設置的所述高密度碳氈層（4）。

3.根據權利要求1所述的導流筒，其特征在于，豎直設置的所述高密度碳氈層（4）和/或傾斜設置的所述高密度碳氈層（4）的表面涂覆有陶瓷涂層。

4.根據權利要求1所述的導流筒，其特征在于，豎直設置的所述高密度碳氈層（4）的兩側傾斜設置有鎢鉬鋼片層（6），所述鎢鉬鋼片層（6）的上部到豎直設置的所述高密度碳氈層（4）的水平距離小于所述鎢鉬鋼片層（6）的下部到豎直設置的所述高密度碳氈層（4）的水平距離。

5.根據權利要求1所述的導流筒，其特征在于，傾斜設置的所述高密度碳氈層（4）與豎直方向的夾角為5-25°。

6.根據權利要求1所述的導流筒，其特征在于，所述導流筒的底部設置有支撐結構（7），所述支撐結構（7）包括第一支撐盤（701）和第二支撐盤（702），所述第一支撐盤（701）傾斜設置，所述第二支撐盤（702）水平設置，所述第一支撐盤（701）的上部與所述內導流筒（2）的底部相連接，所述第二支撐盤（702）的外部與所述外導流筒（1）的底部相連接，所述第二支撐盤（702）的內部與所述第一支撐盤（701）的下部相連接；

所述碳氈填充區（3）還包括高致密阻擋區（303），所述高致密阻擋區（303）位于所述第一支撐盤（701）和第二支撐盤（702）之間的空腔區和所述第一支撐盤（701）與所述外導流筒（1）之間的空腔區，所述高致密阻擋區（303）的碳氈的填充密度為0.3g/cm³-0.5g/cm³。

7.根據權利要求6所述的導流筒，其特征在于，所述斜向低溫度梯度區（302）與所述高致密阻擋區（303）之間設置有加強件（8），所述加強件（8）自上而下包括一體成型的第一加強部（801）和第二加強部（802），所述第一加強部（801）豎直設置，所述第一加強部（801）穿過所述斜向低溫度梯度區（302）與所述高致密阻擋區（303）之間的界面；所述第二加強部（802）傾斜設置，所述第二加強部（802）的傾斜方向與所述第一支撐盤（701）的傾斜方向相同；所述加強件（8）為鎢鉬鋼加強件。