[發(fā)明專利]一種動態(tài)導通電阻的測試裝置及測試方法

有效

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• 申請日: 2023-05-08
• 公開（公告）號: CN116223916B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發(fā)明（設計）人: 陳啟釗
• 申請（專利權）人: 佛山市聯(lián)動科技股份有限公司
• 主分類號: G01R27/08
• 分類號: G01R27/08;G01R31/26;G01R1/20;H02J1/10;H02H9/02
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權代理有限公司 11250
• 代理人: 陳剛

本發(fā)明公開了一種動態(tài)導通電阻的測試裝置及測試方法，涉及半導體器件測量技術領域，所述測試裝置包括第一供能電源、第二供能電源、第一驅動開關單元、第二驅動開關單元與負載電感單元；所述第一供能電源用于為所述負載電感單元充電以及為所述被測器件提供高壓應力；所述第二供能電源用于為所述負載電感單元充電；所述第一驅動開關單元串聯(lián)設置在所述第一供能電源與所述負載電感單元及所述被測器件之間，用于控制所述第一供能電源的電壓輸出；所述第二驅動開關單元與所述被測器件連接，用于控制所述被測器件的連通狀態(tài)。所述測試裝置及測試方法能夠避免電流過沖的問題，實現(xiàn)對動態(tài)導通電阻精準測量。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體器件測量技術領域，具體涉及一種動態(tài)導通電阻的測試裝置及測試方法。

背景技術

目前市面上的第三代半導體材料GaN(氮化鎵)電子器件動態(tài)導通電阻測試設備，有電感負載和電阻負載兩種類型。因電感負載的測試方式更加接近GaN電子器件的真實工作狀態(tài)，所以更多情況下使用電感負載的測試設備進行測試。相關技術中，采用電感負載的測試方式多采用單電源供電，電壓、電感參數(shù)設定后，電感的放電速度不可調(diào)，當被測試器件DUT導通時間占空比較大時，電感能量不斷積累，會出現(xiàn)電流過沖的問題，導致波形變形、功耗增加，對動態(tài)導通電阻測量結果的精準度造成影響。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種動態(tài)導通電阻的測試裝置及測試方法，能夠避免電流過沖的問題，實現(xiàn)對動態(tài)導通電阻精準測量。

在一方面，本發(fā)明實施例提供了一種動態(tài)導通電阻的測試裝置，包括第一供能電源、第二供能電源、第一驅動開關單元、第二驅動開關單元與負載電感單元；

所述第一供能電源的正極與所述負載電感單元的第一端以及被測器件的第一端連接，用于為所述負載電感單元充電以及為所述被測器件提供高壓應力；

所述第二供能電源的正極與所述負載電感單元的第二端連接，用于為所述負載電感單元充電；

所述第一供能電源的負極、所述第二供能電源的負極以及所述被測器件的第二端接地連接；

所述第一驅動開關單元串聯(lián)設置在所述第一供能電源與所述負載電感單元及所述被測器件之間，用于控制所述第一供能電源的電壓輸出；

所述第二驅動開關單元與所述被測器件連接，用于控制所述被測器件的連通狀態(tài)。

可選的，所述裝置還包括設置在所述第一供能電源與所述被測器件之間的電路保護模塊；

所述電路保護模塊包括第一保護支路與第二保護支路，在所述第一保護支路與所述第二保護支路中均串聯(lián)設置有至少一個二極管，且所述第一保護支路與所述第二保護支路中的二極管的連通方向相反設置。

可選的，所述負載電感單元包括串聯(lián)設置的多個電感線圈以及分別與多個所述電感線圈并聯(lián)設置的多個電感開關。

可選的，所述第一驅動開關單元包括高速MOSFET開關以及相應的驅動控制模塊，所述驅動控制模塊用于控制所述高速MOSFET開關的通斷。

可選的，所述裝置還包括第一檢測單元與第二檢測單元；

所述第一檢測單元用于實時檢測所述被測器件的電流與電壓；

所述第二檢測單元用于實時監(jiān)測所述負載電感單元的電流。

可選的，所述裝置還包括分別與所述第一供能電源、所述第二供能電源并聯(lián)設置的第一電容、第二電容。

在另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種基于動態(tài)導通電阻的測試裝置的測試方法，所述方法包括：

設定電路測試參數(shù)，并針對所述測試裝置設置測試模式，所述測試模式包括硬開關測試模式與軟開關測試模式；