[發(fā)明專利]環(huán)境控制組件、環(huán)境控制系統(tǒng)和環(huán)境控制方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310499587.4
• 申請(qǐng)日: 2019-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116636524A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·納加爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: R·納加爾
• 主分類號(hào): A01N1/02
• 分類號(hào): A01N1/02;B65D81/38;B65D25/10;B65D25/02;B65D55/02;B65D43/16;B65D43/22;B65D81/05;B65D81/18;F25D31/00;F25D23/06;F25D25/00;A61J1/16;A61J1/18
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 姜雪梅

1.一種環(huán)境控制組件，所述環(huán)境控制組件用于控制一種或多種物質(zhì)的至少一個(gè)環(huán)境條件，所述一種或多種物質(zhì)未包含在或包含在物質(zhì)容器中，其中，所述環(huán)境控制組件包括：

第一外殼，所述第一外殼包括熱隔絕體，所述熱隔絕體配置為對(duì)所述物質(zhì)提供熱屏蔽，

第二外殼，所述第二外殼包括至少一種可變形的環(huán)境控制材料，所述環(huán)境控制材料配置用于調(diào)節(jié)所述物質(zhì)的所述至少一個(gè)環(huán)境條件，

其中，所述第二外殼至少部分地與所述物質(zhì)和所述物質(zhì)容器中的至少一者物理接觸，以及

殼體，所述殼體至少部分地包括所述第一外殼和第二外殼。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境控制組件，其中所述環(huán)境控制材料是熱自充電的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的環(huán)境控制組件，其中所述第一外殼至少部分地包圍所述第二外殼。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，其中：

所述第二外殼形成腔室，所述腔室配置用于接收所述物質(zhì)和所述物質(zhì)容器中的至少一者，以及

所述第二外殼連續(xù)地接觸所述物質(zhì)和所述物質(zhì)容器中的至少一者，以便最小化在可變形外殼與所述物質(zhì)和所述物質(zhì)容器中的至少一者之間形成的氣穴。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，其中所述第二外殼包括至少一個(gè)隔間，以及其中至少兩種類型的環(huán)境控制材料被混合在一起并被放置在單個(gè)隔間中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，其中所述第二外殼包括多個(gè)隔間，并且每個(gè)隔間包括單一類型的環(huán)境控制材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的環(huán)境控制組件，其中所述第二外殼的第一隔間包括第一類型的環(huán)境控制材料，所述第二外殼的第二隔間包括不同的第二類型的環(huán)境控制材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，其中所述環(huán)境控制材料包括至少一種或多種類型的相變材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的環(huán)境控制組件，其中第一類型的相變材料包括塊狀相變材料，第二類型的相變材料包括微囊化的相變材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，其中環(huán)境控制材料包括H₂O。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，其中第一類型的環(huán)境控制材料包括相變材料，第二類型的環(huán)境控制材料包括H₂O。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的環(huán)境控制組件，其中所述相變材料與H₂O的比率在大約1：1至10：1的范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，其中：

所述環(huán)境控制材料包括至少兩種類型的環(huán)境控制材料，

所述至少兩種類型的環(huán)境控制材料中的第一環(huán)境控制材料配置具有高相變溫度，以及

所述至少兩種類型的環(huán)境控制材料中的第二環(huán)境控制材料配置具有低相變溫度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，進(jìn)一步包括加熱元件，所述加熱元件配置用于加熱所述物質(zhì)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的環(huán)境控制組件，其中所述加熱元件配置用于在不超過(guò)所述物質(zhì)的最大溫度功效極限的情況下加熱所述物質(zhì)。

16.根據(jù)權(quán)利要求1-15中的任一權(quán)利要求所述的環(huán)境控制組件，進(jìn)一步包括電源。