[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310491624.7 | 申請日： | 2020-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN116313522A | 公開（公告）日： | 2023-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 韓有妃;樸彩民;申旴澈;文智熙;金志慧;趙志弘 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/30 | 分類號： | H01G4/30;H01G4/232 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 包國菊;薛丞丞 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 陶瓷 電子 組件 | ||
1.一種多層陶瓷電子組件，包括：
陶瓷主體，所述陶瓷主體包括介電層和彼此相對設(shè)置的多個內(nèi)電極，所述介電層介于彼此相對設(shè)置的所述多個內(nèi)電極之間，并且所述陶瓷主體具有在第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并在第三方向上彼此相對的第五表面和第六表面；以及
外電極，設(shè)置在所述第三表面和所述第四表面中的一個表面上并且連接到所述多個內(nèi)電極之中的從所述第三表面和所述第四表面中的所述一個表面暴露的內(nèi)電極，
其中，所述外電極延伸到所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上，并且
滿足關(guān)系式0.9≤A/BW1.0，其中，A表示在所述第二方向上從所述陶瓷主體的設(shè)置有所述外電極的端部到所述外電極的設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面中的一個表面上的端部的最短距離，并且BW表示在所述第二方向上從所述陶瓷主體的設(shè)置有所述外電極的所述端部到所述外電極的設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面中的所述一個表面上的所述端部的最長距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述最短距離A是在所述陶瓷主體的在所述第三方向上的邊緣區(qū)域處測量的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述最長距離BW是在所述陶瓷主體的在所述第三方向上的中央?yún)^(qū)域處測量的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，比BW/L滿足0.2≤BW/L≤0.3，其中，L是所述陶瓷主體的長度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述多個內(nèi)電極中的至少一個內(nèi)電極的厚度te小于1μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度td小于2.8μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度td和所述多個內(nèi)電極中的至少一個內(nèi)電極的厚度te滿足td＞2×te。
8.一種多層陶瓷電子組件，包括：
陶瓷主體，所述陶瓷主體包括介電層和彼此相對設(shè)置的多個內(nèi)電極，所述介電層介于彼此相對設(shè)置的所述多個內(nèi)電極之間，并且所述陶瓷主體具有在第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相對的第五表面和第六表面；以及
外電極，設(shè)置在所述第三表面和所述第四表面中的一個表面上并且連接到所述多個內(nèi)電極之中的從所述第三表面和所述第四表面中的所述一個表面暴露的內(nèi)電極，
其中，所述外電極延伸到所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上，并且
比BW/L滿足0.2≤BW/L≤0.3，其中，BW表示在所述第二方向上從所述陶瓷主體的設(shè)置有所述外電極的端部到所述外電極的設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面中的一個表面上的端部的最長距離，并且L表示所述陶瓷主體的長度，并且
所述外電極的在所述第一表面和所述第二表面中的所述一個表面上的延伸部的在所述第三方向上的中央部分在所述第二方向上的長度小于所述外電極的在所述第一表面和所述第二表面中的所述一個表面上的所述延伸部的在所述第三方向上的邊緣部分在所述第二方向上的長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述最長距離BW是所述外電極的在所述第一表面和所述第二表面中的所述一個表面上的所述延伸部的在所述第三方向上的所述中央部分在所述第二方向上的長度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述多個內(nèi)電極中的至少一個內(nèi)電極的厚度te小于1μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度td小于2.8μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度td和所述多個內(nèi)電極中的至少一個內(nèi)電極的厚度te滿足td＞2×te。
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