[發(fā)明專利]一種電子吸引裝置、磁控濺射系統(tǒng)及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310476589.1
• 申請日: 2023-04-25
• 公開（公告）號: CN116288217A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 來華杭;王正安;郭峰;劉杰;謝斌斌
• 申請（專利權(quán)）人: 杭納半導體裝備（杭州）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 長沙國科天河知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 43225
• 代理人: 李谷豐

1.一種電子吸引裝置，其特征是，包括電源和相互連接的導電外殼(11)和磁鐵Ⅰ(12)，所述電源用于給導電外殼(11)提供正電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的電子吸引裝置，其特征是，所述電源用于給導電外殼(11)提供的正電壓為10-20伏特。

3.如權(quán)利要求1所述的電子吸引裝置，其特征是，所述電源的負極接地。

4.如權(quán)利要求1所述的電子吸引裝置，其特征是，所述導電外殼(11)上設(shè)置有安裝腔(111)和連接安裝腔(111)的卡合口(112)，所述磁鐵Ⅰ(12)一端伸入所述安裝腔(111)內(nèi)，且磁鐵Ⅰ(12)的外壁與所述卡合口(112)卡合。

5.一種磁控濺射系統(tǒng)，其特征是，包括如權(quán)利要求1-4任一項所述的電子吸引裝置(1)、真空腔體(8)以及依次設(shè)置在真空腔體(8)內(nèi)的磁控裝置(2)、靶材(3)和基材安裝位(4)，所述電子吸引裝置(1)設(shè)置在靶材(3)和基材安裝位(4)之間，所述電子吸引裝置(1)中磁鐵Ⅰ(12)朝向靶材(3)設(shè)置，且電子吸引裝置(1)中磁鐵Ⅰ(12)與磁控裝置(2)中相對應(yīng)的磁鐵Ⅱ(21)極性相異。

6.如權(quán)利要求5所述的磁控濺射系統(tǒng)，其特征是，所述電子吸引裝置(1)設(shè)置有多組，多組電子吸引裝置(1)分別設(shè)置在基材安裝位(4)外側(cè)和中間。

7.如權(quán)利要求6所述的磁控濺射系統(tǒng)，其特征是，所述電子吸引裝置(1)數(shù)量與磁控裝置(2)中磁鐵Ⅱ(21)的組數(shù)一致，且電子吸引裝置(1)與磁鐵Ⅱ(21)組一一對應(yīng)。

8.如權(quán)利要求5所述的磁控濺射系統(tǒng)，其特征是，還包括移動裝置，所述電子吸引裝置(1)通過移動裝置設(shè)置在真空腔體(8)內(nèi)。

9.如權(quán)利要求5所述的磁控濺射系統(tǒng)，其特征是，所述基材安裝位(4)上設(shè)置有基材(5)，所述基材(5)和真空腔體(8)接地。

10.一種磁控濺射方法，其特征是，使用如權(quán)利要求9所述磁控濺射系統(tǒng)，包括如下步驟：

在磁控濺射過程中，當電子的速度降低到一定值后，磁控裝置(2)產(chǎn)生的磁場(6)對電子的束縛能力減弱，電子在導流電場的作用下，脫離磁場(6)束縛并在導流電場的作用下加速向電子吸引裝置(1)和真空腔體(8)內(nèi)壁運動；電子在加速的同時，受到電子吸引裝置(1)內(nèi)部磁鐵Ⅰ(12)和磁控裝置(2)中磁鐵Ⅱ(21)共同產(chǎn)生的吸引磁場(7)的作用，電子沿著吸引磁場(7)的磁力線做螺線運動，沉積到電子吸引裝置(1)的導電外殼(11)上。