[發明專利]異質結電池的制備方法及成膜設備

在審

• 申請號: 202310458027.4
• 申請日: 2023-04-26
• 公開（公告）號: CN116230813A
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 馬文龍;張鑫;陳志;袁寧新;辛科
• 申請（專利權）人: 合肥華晟光伏科技有限公司;安徽華晟新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;C23C16/50;C23C16/24
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

1.一種異質結電池的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底具有相對設置的第一表面和第二表面；

以第一溫度范圍，分別在所述第一表面形成第一非晶半導體層，在所述第二表面形成第二非晶半導體層，得到中間結構；

對所述中間結構進行加熱使所述中間結構位于第二溫度范圍，并在加熱的過程中，對所述中間結構進行光注入處理，所述第一溫度范圍與所述第二溫度范圍相同；

在進行所述光注入處理后，在所述第一非晶半導體層背離所述半導體襯底的一側表面形成第一透明導電層，在所述第二非晶半導體層背離所述半導體襯底的一側表面形成第二透明導電層。

2.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，在對所述中間結構進行光注入處理的過程中，照射在所述中間結構上的光的波長為600nm~750nm；照射在所述中間結構上的光的強度為20kW/m²~40kW/m²；所述光注入處理的時間為50s~70s。

3.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，所述第一溫度范圍和所述第二溫度范圍均為150℃~210℃。

4.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，形成所述第一非晶半導體層、所述第二非晶半導體層的工藝包括等離子體增強化學氣相沉積工藝；

所述半導體襯底的材料包括單晶硅，所述第一非晶半導體層、所述第二非晶半導體層的材料包括非晶硅。

5.根據權利要求1至4任一項所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，形成所述第一透明導電層、所述第二透明導電層的工藝包括物理氣相沉積工藝。

6.根據權利要求1至4任一項所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述第一透明導電層背離所述半導體襯底的一側表面形成第一柵線，在所述第二透明導電層背離所述半導體襯底的一側表面形成第二柵線；其中：形成所述第一柵線、所述第二柵線的工藝包括絲網印刷工藝。

7.一種成膜設備，其特征在于，包括：

腔體，所述腔體中具有載板，所述載板適于承載半導體襯底，所述半導體襯底具有相對設置的第一表面和第二表面；

沉積機構，所述沉積機構適于以第一溫度范圍在所述半導體襯底的第一表面和第二表面分別形成第一非晶半導體層和第二非晶半導體層，得到中間結構；

加熱單元，所述加熱單元位于所述腔體中所述載板的底部，所述加熱單元適于對所述載板進行加熱，使所述中間結構位于第二溫度范圍，所述第一溫度范圍與所述第二溫度范圍相同；

光源，所述光源位于所述腔體中且位于所述載板的上方，所述光源適于在所述中間結構位于第二溫度范圍時對所述中間結構進行光注入處理。

8.根據權利要求7所述的成膜設備，其特征在于，所述第一溫度范圍和所述第二溫度范圍均為150℃~210℃。

9.根據權利要求7所述的成膜設備，其特征在于，所述光源的照明功率密度為20kW/m²~40kW/m²。

10.根據權利要求7至9任一項所述的成膜設備，其特征在于，所述光源包括紅光光源，所述紅光光源包括紅光LED燈。