[發明專利]一種硅拋光片的漏源極漏電改善工藝在審
| 申請號： | 202310457710.6 | 申請日： | 2023-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN116564809A | 公開（公告）日： | 2023-08-08 |
| 發明（設計）人： | 張帥;梁興勃;盧飛紅;許峰;盧鋒;劉建剛 | 申請（專利權）人： | 金瑞泓微電子（嘉興）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海泰博知識產權代理有限公司 31451 | 代理人： | 錢文斌 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉興市南湖區*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 拋光 漏源極 漏電 改善 工藝 | ||
1.一種硅拋光片的漏源極漏電改善工藝，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一：第一步高溫處理，將硅拋光片放入高溫爐內，將溫度升高到1100～1250℃的進行熱處理，熱處理時間為140～160分鐘，并確保高溫爐內充滿氮氣和氧氣，形成氮氣和氧氣的混合環境；
步驟二：第二步高溫處理，將高溫爐內溫度降低到650～720℃，并保證熱處理時間為100～130分鐘，停止輸送氧氣，確保內部為氮氣環境；
步驟三：第三步高溫處理，將高溫爐內溫度升高至到720～850℃，并保證熱處理時間為145～155分鐘，確保內部始終為氮氣環境；
步驟四：保持氮氣環境，并等待硅拋光片冷卻，之后進行清洗。
2.根據權利要求1所述的一種硅拋光片的漏源極漏電改善工藝，其特征在于：步驟一中，高溫爐的升溫速度為5℃/分鐘。
3.根據權利要求1所述的一種硅拋光片的漏源極漏電改善工藝，其特征在于：步驟二中，高溫爐的溫度下降速度為2℃/分鐘。
4.根據權利要求1所述的一種硅拋光片的漏源極漏電改善工藝，其特征在于：步驟三中，高溫爐的升溫速度為5℃/分鐘。
5.根據權利要求1所述的一種硅拋光片的漏源極漏電改善工藝，其特征在于：步驟一中，氮氣和氧氣的比例為6:1。
6.根據權利要求1所述的一種硅拋光片的漏源極漏電改善工藝，其特征在于：步驟四中，冷卻時間為60分鐘。
7.根據權利要求1所述的一種硅拋光片的漏源極漏電改善工藝，其特征在于：步驟四中，高溫爐上設置有單向閥，確保氮氣排出，確保內部壓強處于恒定狀態。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
