[發(fā)明專利]改善套刻精度的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310450454.8
• 申請(qǐng)日: 2023-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN116520646A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜冒泉;金樂群;李玉華;陳建;李錦茹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.一種改善套刻精度的方法，其特征在于，至少包括：

步驟一、提供晶圓，在所述晶圓上形成有前層結(jié)構(gòu)以及位于所述前層結(jié)構(gòu)上的當(dāng)層結(jié)構(gòu)，所述前層結(jié)構(gòu)上形成有前層套刻標(biāo)記；

步驟二、在所述前層結(jié)構(gòu)上形成光刻膠層，光刻打開所述光刻膠層形成刻蝕圖案以及當(dāng)層套刻標(biāo)記，之后進(jìn)行顯影后檢測(cè)，根據(jù)所述前層套刻標(biāo)記和所述當(dāng)層套刻標(biāo)記的位置之差獲取第一誤差；

步驟三、以所述刻蝕圖案為掩膜刻蝕所述當(dāng)層結(jié)構(gòu)，用以形成刻蝕后圖形，之后進(jìn)行刻蝕后檢測(cè)，根據(jù)所述刻蝕后圖形獲取第二誤差，所述第二誤差為刻蝕導(dǎo)致的偏移量；

步驟四、通過所述第一、二誤差獲取所述補(bǔ)償值，所述光刻機(jī)的套刻精度補(bǔ)正系統(tǒng)利用所述補(bǔ)償值修正當(dāng)前批次或下一批次晶圓的套刻精度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于：步驟一中的所述前層套刻標(biāo)記包括X方向的套刻標(biāo)記和Y方向的套刻標(biāo)記，其圍成了一正方形區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善套刻精度的方法，其特征在于：步驟二中的所述當(dāng)層套刻標(biāo)記包括X方向的套刻標(biāo)記和Y方向的套刻標(biāo)記,其圍成的的正方形區(qū)域面積小于所述矩形區(qū)域的正方形，X方向的套刻精度ΔX＝(X2-X1)/2，Y方向的套刻精度ΔY＝(Y2-Y1)/2，X1和X2為所述當(dāng)層套刻標(biāo)記在X方向與所述前層套刻標(biāo)記的距離，Y1和Y2為所述當(dāng)層套刻標(biāo)記在Y方向與所述前層套刻標(biāo)記的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于：步驟二、三中利用電子束機(jī)臺(tái)或掃描電子顯微鏡進(jìn)行顯影后檢測(cè)或刻蝕后檢測(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于：步驟三中的所述刻蝕偏移量包括X方向和Y方向的偏移量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于：步驟四中所述通過第一、二誤差得到補(bǔ)償值的方法還包括：獲取所述刻蝕后圖形的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)，根據(jù)所述關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)建立刻蝕后圖形模型，判斷所述刻蝕后圖形模型與所述關(guān)鍵數(shù)據(jù)的相關(guān)度，所述相關(guān)度是否處于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；若是，則計(jì)算出所述補(bǔ)償值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于：步驟四中的套刻精度補(bǔ)正系統(tǒng)為套刻精度量測(cè)計(jì)算模型。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于：步驟四中的套刻補(bǔ)正系統(tǒng)為先進(jìn)制程控制系統(tǒng)。