[發明專利]一種功率管過流檢測電路

有效

• 申請號: 202310449259.3
• 申請日: 2023-04-25
• 公開（公告）號: CN116224011B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 譚在超;陳朝勇;羅寅;丁國華
• 申請（專利權）人: 蘇州鍇威特半導體股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/30;G01R19/165;G01R15/00
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 葛莉華

本發明涉及過流檢測技術領域,公開了一種功率管過流檢測電路，用于檢測流過功率管的電流是否過流，包括基準開關管、驅動單元、偏置電流產生單元、第一判斷電流產生單元、第二判斷電流產生單元、電壓檢測單元、比較單元和信號處理單元；在實際使用時，本發明并不是檢測功率管的壓降，在功率管的壓降大于閾值時才實現過流檢測，而是通過設置基準開關管，以及通過輸出反應基準開關管的壓降大小的第一判斷電流和輸出反應功率管壓降大小的第二判斷電流，并基于第一判斷電流和第二判斷電流的比較結果進行過流檢測，這樣可以避免溫度對功率管的過流檢測準確性的影響，從而能準確檢測功率管是否出現過流，進而能及時對功率管進行過流保護，避免功率管燒毀。

技術領域

本發明涉及過流檢測技術領域，具體涉及一種功率管過流檢測電路。

背景技術

在DC-DC轉換器和電機驅動等集成電路設計領域中，都會集成功率管來用作輸出管。為了避免功率管在因異常情況出現產生大電流時出現燒壞情況出現，電路中需要對流過功率管的電流進行檢測，從而能夠在流過功率管的電流超過額定值時能及時關閉功率管。

現有檢測流過功率管電流的電路如圖1所示，包括由電阻R1和電阻R2串聯形成的分壓電路、三極管Q1、由NMOS管N1和NMOS管N2組成的電流鏡電路和施密特觸發器SMIT。圖1所示電路的工作原理如下，流過功率管的電流I乘以功率管的導通電阻Rdson得到功率管上的壓降Vglg，壓降Vglg經過電阻R1和電阻R2分壓后輸入到三極管Q1的基極，假設輸入到三極管Q1的基極的電壓大小為Vj，如果流過功率管的電流過大使Vj大于三極管Q1的Vbe（Vbe為三極管Q1的基極與發射極電壓）時，三極管Q1導通產生電流，從而使施密特觸發器SMIT輸出高電平，以此實現過流檢測。

但是在圖1所示的電路中，三極管Q1的Vbe受溫度變化很大，如果溫度變化較大導致Vbe發生變化時，會導致過流檢測閾值發生變化，因此存在受溫度影響不能及時檢測功率管是否過流的情況出現。

發明內容

鑒于背景技術的不足，本發明是提供了一種功率管過流檢測電路，所有解決的技術問題是現有檢測功率管是否過流的電路存在受溫度影響不能及時檢測功率管是否過流的情況。

為解決以上技術問題，本發明提供了如下技術方案：一種功率管過流檢測電路，用于檢測流過功率管的電流是否過流，包括基準開關管、驅動單元、偏置電流產生單元、第一判斷電流產生單元、第二判斷電流產生單元、電壓檢測單元、比較單元和信號處理單元；

所述基準開關管包括輸入端、控制端和輸出端，所述驅動單元與所述輸入端和控制端電連接，用于鉗位所述輸入端與控制端的電壓，使所述基準開關管導通；所述偏置電流產生單元與所述輸出端電連接，用于產生流過所述基準開關管的第一基準電流；

所述第一判斷電流產生單元與所述輸出端電連接，基于所述輸出端的電壓輸出至少一路反應所述基準開關管的壓降大小的第一判斷電流；

所述電壓檢測單元被配置于檢測所述功率管上的壓降大小，并輸出第一檢測電壓，所述第二判斷電流產生單元接收所述第一檢測電壓，并基于所述第一檢測電壓輸出至少一路反應功率管壓降大小的第二判斷電流，所述第二判斷電流與所述第一檢測電壓負相關；

所述比較單元接收一路第一判斷電流和一路第二判斷電流，并基于所述第一判斷電流和第二判斷電流的比較結果輸出比較信號，所述信號處理單元接收所述比較信號，對所述比較信號反向，輸出檢測信號。

在某種實施方式中，所述基準開關管為PMOS管P1，所述驅動單元包括穩壓二極管Z1和NMOS管N1，所述PMOS管P1的源極與所述穩壓二極管Z1的負極電連接，被配置于輸入工作電源，所述穩壓二極管Z1的正極分別與NMOS管N1的漏極和PMOS管P1的柵極電連接，所述NMOS管N1的源極接地，所述PMOS管P1的漏極分別與偏置電流產生單元和第一判斷電流產生單元電連接。