[發明專利]靜電卡盤裝置及靜電卡盤裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202310448839.0
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN116364633A
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 日高宣浩;釘本弘訓;小坂井守
• 申請（專利權）人: 住友大阪水泥股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01J37/20;H01J37/32;C04B35/645;C04B35/103;C04B35/626;C04B35/117
• 代理公司: 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291
• 代理人: 楊楷;毛立群

本發明提供一種靜電卡盤裝置，其具備：基體，將含有碳化硅粒子及氧化鋁粒子的陶瓷粒子的燒結體作為形成材料，一個主面為載置板狀試樣的載置面；及靜電吸附用電極，在所述基體中設置于與所述載置面相反的一側的表面或所述基體的內部，所述燒結體的體積固有電阻值在24℃至300℃的整個范圍內為0.5×10supgt;15/supgt;Ωcm以上，表示所述燒結體的所述體積固有電阻值相對于所述燒結體的體積固有電阻值的測定溫度的關系的圖表在24℃至300℃的范圍內具有最大值，所述燒結體中的除了鋁及硅以外的金屬雜質含量為100ppm以下。

本發明申請是基于住友大阪水泥股份有限公司的PCT申請號為PCT/JP2017/000776、主題為“靜電卡盤裝置及靜電卡盤裝置的制造方法”的國際申請進入中國國家階段的中國發明申請遞交的分案申請，中國發明申請的申請號為201780006109.8，申請日為2017年1月12日。

技術領域

本發明涉及一種靜電卡盤裝置及靜電卡盤裝置的制造方法。

本申請主張基于2016年1月12日于日本申請的日本專利申請2016-003618號及2016年3月30日于日本申請的日本專利申請2016-067657號的優先權，并將其內容援用于此。

背景技術

近年來，在實施等離子體工序的半導體制造裝置中，使用能夠在試樣臺中輕松地安裝板狀試樣(晶片)而進行固定，并且能夠以所期望的溫度維持該晶片的靜電卡盤裝置。靜電卡盤裝置具備一個主面為載置晶片的載置面的基體及在與載置于載置面的晶片之間產生靜電力(庫倫力)的靜電吸附用電極(例如，參考專利文獻1)。

如上述的靜電卡盤裝置在等離子體工序中使用的情況下，載置晶片的基體通過等離子體加熱成高溫。因此，基體使用具有耐熱性且具有絕緣性的陶瓷材料而形成。

在如前述的靜電卡盤裝置中，利用在晶片與靜電吸附用電極之間產生的靜電力來固定晶片。即，在靜電卡盤裝置中固定晶片時，對靜電吸附用電極施加電壓，并在晶片與靜電吸附用電極之間產生靜電力。另一方面，在靜電卡盤裝置上拆除固定于載置面的晶片時，停止對靜電吸附用電極施加電壓，使晶片與靜電吸附用電極之間的靜電力消失。

但是，以往的靜電卡盤裝置中，例如在實施等離子體工序之后欲拆除晶片時，在已加熱的載置面與晶片之間殘留有吸附力，存在難以拆除晶片的情況。若產生這種狀況，則工作效率下降，因此要求進一步的改善。

并且，近年來半導體技術的精細化或3D化得到發展，半導體制造裝置及半導體制造裝置中所使用的靜電卡盤裝置的使用條件變得更加嚴苛。因此，進一步要求能夠以良好的成品率處理晶片的靜電卡盤裝置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第4744855號公報

發明內容

發明要解決的技術課題

本發明的第一方式是鑒于如上所述的情況而完成的，其目的在于提供一種即使在高溫加熱時也容易拆除晶片的靜電卡盤裝置。

本發明的第二方式是鑒于如上所述的情況而完成的，其目的在于提供一種能夠改善等離子體處理的成品率，并且能夠成品率良好地處理晶片的靜電卡盤裝置。

并且，第三方式的目的在于提供一種即使在高溫加熱時也能夠容易制造容易拆除晶片的靜電卡盤裝置的靜電卡盤裝置的制造方法。

本發明人針對難以拆除晶片進行了研究。該結果，可知靜電卡盤裝置通過等離子體或內置的加熱器進行加熱而成為高溫時，作為載置晶片的載置面的基體的電阻值(體積固有電阻值)下降而變得容易通電是難以拆除的主要原因之一。

即，基體變成高溫時，若體積固有電阻值下降，則即使停止對靜電吸附用電極施加電壓之后，也難以消除極化。因此，認為庫倫力容易殘留是主要原因之一。