[發(fā)明專利]一種芯片焊接方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310447507.0
• 申請日: 2023-04-24
• 公開（公告）號: CN116613079A
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江楚玲;鐘光恒;甘長樂
• 申請（專利權(quán)）人: 中國兵器裝備集團自動化研究所有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 南海燕

本發(fā)明公開了一種芯片焊接方法，包括將待焊接芯片放置于盛具的固定槽內(nèi)；所述待焊接芯片為焊盤間隙為0.1毫米的芯片；所述固定槽用于對所述待焊接芯片進行限位以使所述待焊接芯片在絕緣處理過程中不移位。該方法采用底部填充膠將焊盤間隙0.1mm的國產(chǎn)化芯片底部焊盤進行絕緣處理，杜絕器件在除金和回流焊接過程中造成器件引腳連焊現(xiàn)象，避免器件報廢，提高焊接合格率。為市場占有量越來越多的精密國產(chǎn)化芯片焊接合格低的問題提供了解決方案，具有良好的應(yīng)用前景。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片焊接方法。

背景技術(shù)

國產(chǎn)化芯片將逐步取代進口芯片，但是短期內(nèi)的國產(chǎn)芯片不但質(zhì)量與進口芯片存在一定差距，焊接的可制造工藝性也存在較大問題，傳統(tǒng)的焊接工藝方法很難滿足存在工藝性差的國產(chǎn)芯片焊接。

特別是焊盤間隙0.1mm的國產(chǎn)芯片，由于焊盤間隙太小，芯片在除金和回流焊接過程中，芯片引腳連焊現(xiàn)象嚴重，焊接合格率低，芯片損耗嚴重，更換芯片難度大，周期長，不但嚴重影響交期，維修后的產(chǎn)品還存在質(zhì)量不穩(wěn)定隱患。

因此，如何提供一種焊接方法，解決焊盤間隙0.1mm的國產(chǎn)化芯片連焊問題，提高焊接合格率，是迫切需要本領(lǐng)域技術(shù)人員解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明提供用于克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種芯片焊接方法。解決了市場占有量越來越多的精密國產(chǎn)化芯片焊接合格低的問題，具有良好的應(yīng)用前景。

本發(fā)明提供了如下方案：

一種芯片焊接方法，包括：

將待焊接芯片放置于盛具的固定槽內(nèi)；所述待焊接芯片為焊盤間隙為0.1毫米的芯片；所述固定槽用于對所述待焊接芯片進行限位以使所述待焊接芯片在絕緣處理過程中不移位；

采用筆尖寬度為0.8-1.2毫米的毛筆進行施膠獲得施膠后的芯片，所述施膠采用的膠水為化學(xué)成分為環(huán)氧樹脂的環(huán)氧膠水；

檢查施膠質(zhì)量，確定膠水不污染芯片引腳和芯片底部的接地焊盤；

待烘烤箱溫度上升至125℃±2℃后，將所述施膠后的芯片轉(zhuǎn)移至所述烘烤箱內(nèi)烘烤28～32分鐘獲得完成膠固化的芯片；

檢測所述固化后的芯片是否符合焊接要求，確定符合焊接要求后結(jié)束絕緣處理流程。

優(yōu)選地：所述環(huán)氧膠水的固化成膠體條件為：150℃固化5分鐘或120℃固化15分鐘或100℃固化40分鐘；所述環(huán)氧膠水的膠體分解溫度：360℃；所述環(huán)氧膠水的膠體工作溫度：-40℃～150℃；所述環(huán)氧膠水的膠體體積電阻率：8.6×10E12Ω.cm；所述環(huán)氧膠水的表面電阻：3.4×10E15Ω。

優(yōu)選地：所述環(huán)氧膠水為Sup-bond?6520環(huán)氧膠水。

優(yōu)選地：所述施膠的過程包括采用所述毛筆蘸所述環(huán)氧膠水后，沿著底部焊盤劃4條線段，且確保膠液滲透所有焊盤。

優(yōu)選地：將所述烘烤箱的溫度設(shè)定為125℃，確定所述烘烤箱溫度上升至125℃±2℃，烘烤30分鐘。

優(yōu)選地：采用顯微鏡檢查施膠質(zhì)量。

優(yōu)選地：采用顯微鏡檢測所述固化后的芯片是否符合焊接要求。

優(yōu)選地：所述焊接要求包括膠體完全覆蓋芯片底部四周焊盤且表面平整，芯片引腳和芯片底部的接地焊盤未發(fā)現(xiàn)有膠體。

根據(jù)本發(fā)明提供的具體實施例，本發(fā)明公開了以下技術(shù)效果：