[發明專利]一種發光二極管及發光裝置

在審

• 申請號: 202310436174.1
• 申請日: 2023-04-21
• 公開（公告）號: CN116565089A
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 楊人龍;張平;林雅雯;黃事旺;張中英
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/14
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務所(普通合伙) 35234
• 代理人: 楊澤奇

1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：

半導體疊層，具有相對的下表面和上表面，所述半導體疊層包括由所述下表面到所述上表面依次層疊的第一半導體層、發光層和第二半導體層；

第一電極，位于所述第一半導體層上，并且與所述第一半導體層電連接；

第二電極，位于所述第二半導體層上，并且與所述第二半導體層電連接；

第一電流阻擋層，位于所述第一半導體層與所述第一電極之間；

從所述發光二極管的上方朝向所述半導體疊層俯視，所述第一電流阻擋層具有與所述第一電極相重疊的第一阻擋區和未與所述第一電極相重疊的第二阻擋區；至少部分所述第二阻擋區設置于靠近所述第二電極一側的所述第一電極局部邊緣以外。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一電極邊緣與所述第二電極邊緣之間具有最短距離，至少部分所述第二阻擋區位于所述最短距離處。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：從所述發光二極管的上方朝向所述半導體疊層俯視，所述第一電極與所述第一阻擋區全部或部分重疊。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：從所述發光二極管的上方朝向所述半導體疊層俯視，所述第一電極與所述第一阻擋區部分重疊，且所述第一阻擋區在所述第一半導體層的投影面積占所述第一電極在所述第一半導體層的投影面積的5％～96％。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：從所述發光二極管的上方朝向所述半導體疊層俯視，所述第一電極與所述第一阻擋區部分重疊，所述第一阻擋區在所述第一半導體層的投影面積占所述第一電極在所述第一半導體層的投影面積的50％～96％。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：從所述發光二極管的上方朝向所述半導體疊層俯視，所述第一電極與所述第一阻擋區部分重疊，所述第一阻擋區在所述第一半導體層的投影面積占所述第一電流阻擋層在所述第一半導體層的投影面積的10％～95％。

7.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：從所述發光二極管的上方朝向所述半導體疊層俯視，所述第一電極與所述第一阻擋區部分重疊，所述第一阻擋區在所述第一半導體層的投影面積占所述第一電流阻擋層在所述第一半導體層的投影面積的40％～80％。

8.根據權利要求4-7中任一項所述的發光二極管，其特征在于：從所述發光二極管的上方朝向所述半導體疊層俯視，至少部分所述第一阻擋區位于靠近所述第二電極的第一電極局部邊緣以內。

9.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一阻擋區與所述第一電極部分重疊，且所述第一電極具有未與第一阻擋區重疊的未重疊電極區，至少部分所述未重疊電極區設置于最遠離所述第二電極的第一電極局部邊緣以內。

10.根據權利要求9所述的發光二極管，其特征在于：所述未重疊電極區在所述第一半導體層的投影面積大于等于所述第一電極在所述第一半導體層的投影面積的4％～95％，或4％～50％。

11.根據權利要求9所述的發光二極管，其特征在于：所述第一阻擋區和所述第二阻擋區向所述未重疊電極區以外的所述第一電極的所有邊緣區域延伸覆蓋。

12.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述半導體疊層形成有暴露出部分第一半導體層上表面的臺面，所述第一電極位于所述臺面上，且所述第二阻擋區在所述臺面上的投影位于所述臺面內。

13.根據權利要求12所述的發光二極管，其特征在于：所述第二阻擋區在所述臺面上的投影與所述臺面邊緣具有最小距離，所述最小距離大于等于1微米。