[發(fā)明專利]同軸電纜到共面波導(dǎo)的寬帶過渡結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310431218.1 | 申請日: | 2023-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN116315554A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙亮;鄧小威;趙梁玉;于海超 | 申請(專利權(quán))人: | 強一半導(dǎo)體(蘇州)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01P5/10 | 分類號: | H01P5/10 |
| 代理公司: | 蘇州謹和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 同軸電纜 到共面 波導(dǎo) 寬帶 過渡 結(jié)構(gòu) | ||
本發(fā)明涉及微波技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種同軸電纜到共面波導(dǎo)的寬帶過渡結(jié)構(gòu),包括共面波導(dǎo)傳輸線與同軸電纜,共面波導(dǎo)傳輸線包括從上到下層疊的金屬層和介質(zhì)層,金屬層上形成有中心導(dǎo)帶與分布在所述中心導(dǎo)帶兩側(cè)的接地導(dǎo)帶,同軸電纜包括外導(dǎo)體、內(nèi)導(dǎo)體以及位于所述外導(dǎo)體與所述內(nèi)導(dǎo)體之間的中間介質(zhì)層,共面波導(dǎo)傳輸線上開設(shè)有深達介質(zhì)層的凹槽,同軸電纜的一端部嵌入在所述的凹槽中,且所述端部的內(nèi)導(dǎo)體伸出所述凹槽外與中心導(dǎo)帶相互搭接并電性連接,接地導(dǎo)帶與所述的外導(dǎo)體電性連接。該寬帶過渡結(jié)構(gòu)具有超寬帶、低損耗、高隔離度的信號傳輸性能,適用于面向高頻的探針卡測試系統(tǒng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微波技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種同軸電纜到共面波導(dǎo)的寬帶過渡結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
隨著5G、毫米波技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體器件不斷往高頻、小型化趨勢發(fā)展。上述趨勢也使得薄膜探針卡測試系統(tǒng)的性能要求不斷提高,超寬帶、低損耗、高隔離度等成為薄膜探針卡測試系統(tǒng)的主要指標。采用寬帶過渡結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的PCB轉(zhuǎn)接板作為連接薄膜探針與測試設(shè)備的重要部件,其性能的優(yōu)劣直接影響著整個薄膜探針卡測試系統(tǒng)的質(zhì)量。
傳統(tǒng)的PCB轉(zhuǎn)接板一般采用傳輸準橫電磁波的單一共面波導(dǎo)完成主要的信號傳輸任務(wù),并通過搭配SMA接頭的方式實現(xiàn)測試儀器與薄膜探針卡的信號轉(zhuǎn)接。然而采用上述PCB轉(zhuǎn)接板存在帶寬窄、損耗高等問題,因而大多適用在20GHz頻段以下的測試場景中。此外,同時半開放的共面波導(dǎo)傳輸線結(jié)構(gòu)在多芯片測試環(huán)境下,存在隔離度較低、信號串擾等問題,影響芯片性能的精確表征。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述傳統(tǒng)PCB轉(zhuǎn)接板存在寬帶窄、損耗高、隔離度較低等相關(guān)技術(shù)問題,本發(fā)明的目的是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)寬帶、低損耗和高隔離度的寬帶過渡結(jié)構(gòu)。
為了達到上述的目的,本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:一種同軸電纜到共面波導(dǎo)的寬帶過渡結(jié)構(gòu),包括共面波導(dǎo)傳輸線與同軸電纜,所述共面波導(dǎo)傳輸線包括從上到下層疊的金屬層和介質(zhì)層,所述的金屬層上形成有中心導(dǎo)帶與分布在所述中心導(dǎo)帶兩側(cè)的接地導(dǎo)帶,所述的同軸電纜包括外導(dǎo)體、內(nèi)導(dǎo)體以及位于所述外導(dǎo)體與所述內(nèi)導(dǎo)體之間的中間介質(zhì)層,所述的共面波導(dǎo)傳輸線上開設(shè)有深達介質(zhì)層的凹槽,所述的同軸電纜的一端部嵌入在所述的凹槽中,且所述端部的內(nèi)導(dǎo)體伸出所述凹槽外與所述的中心導(dǎo)帶相互搭接并電性連接,所述接地導(dǎo)帶與所述的外導(dǎo)體電性連接。
本申請采用半剛性電纜作為信號的主要傳輸通道,利用外延的內(nèi)導(dǎo)體與共面波導(dǎo)傳輸線的中心導(dǎo)帶級聯(lián),并通過凹槽控制半剛性電纜與共面波導(dǎo)傳輸線的相對位置,是一種具有寬帶、低損耗、高隔離度性能的過渡技術(shù)。
在本申請的一個實施例中,所述端部具有一水平段,所述水平段的下部嵌入在所述的凹槽內(nèi)。
在本申請的一個實施例中,所述中心導(dǎo)帶的寬度等于所述接地導(dǎo)帶的寬度。
在本申請的一個實施例中,所述凹槽與所述的中心導(dǎo)帶的中軸線共線。
在本申請的一個實施例中,所述內(nèi)導(dǎo)體與所述中心導(dǎo)帶的中軸線共線。
在本申請的一個實施例中,所述凹槽的槽寬小于所述的同軸電纜的直徑。
在本申請的一個實施例中,所述凹槽的槽深等于所述外導(dǎo)體與所述中間介質(zhì)層的壁厚之和。
在本申請的一個實施例中,包括若干個一一對應(yīng)的所述共面波導(dǎo)傳輸線、所述同軸電纜以及所述凹槽,各所述共面波導(dǎo)傳輸線的中心導(dǎo)帶沿左右方向平行排布,各所述的同軸電纜以及凹槽分別沿對應(yīng)中心導(dǎo)帶的中軸線布置。
在本申請的一個實施例中,相鄰的兩個所述的同軸電纜共用一根所述的接地導(dǎo)帶。
在本申請的一個實施例中,所述的共面波導(dǎo)傳輸線上開設(shè)有多個貫通所述金屬層和介質(zhì)層的通孔,所述通孔與所述中心導(dǎo)帶不連通。
在本申請的一個實施例中,所述的通孔沿著所述中心導(dǎo)帶方向排成多列。
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