[發明專利]碳化硅粉料的制備方法在審
| 申請號： | 202310406312.1 | 申請日： | 2023-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN116495740A | 公開（公告）日： | 2023-07-28 |
| 發明（設計）人： | 李奕銘;林宏達;翟虎;宋亞濱 | 申請（專利權）人： | 成都中浦科技有限公司;東旭科技集團有限公司 |
| 主分類號： | C01B32/984 | 分類號： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京格式化知識產權代理事務所(普通合伙) 16096 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 制備 方法 | ||
1.一種碳化硅粉料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
向石墨坩堝的底部和坩堝壁鋪設保護層，所述保護層不與石墨坩堝發生反應；
向增設有保護層的石墨坩堝中裝入待處理物；
其中，所述保護層用于阻隔所述待處理物對石墨坩堝的侵蝕。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述保護層與所述待處理物中揮發出的物質發生反應，形成隔斷間質。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述待處理物為碳粉與硅粉混合而成的混合物。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述保護層在受熱后與所述硅發生化學反應并生成隔斷間質。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述保護層為碳粉層。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述碳粉為0～5ppm純度的碳粉。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述碳粉或所述石墨粉的粒徑p≤10μm。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述保護層在石墨坩堝的底部鋪設厚度≥2mm。
9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述碳粉或所述石墨粉在石墨坩堝的側壁鋪設厚度為0.5-2mm。
10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
將裝有所述待處理物的石墨坩堝置于爐腔中進行加熱；
加熱完成后收集所述待處理物對應的產物，并去除加熱后的所述保護層。
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