[發明專利]一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法

在審

• 申請號: 202310401416.3
• 申請日: 2023-04-15
• 公開（公告）號: CN116463693A
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 羅小平;鄭建國;潘立文
• 申請（專利權）人: 崇輝半導體（江門）有限公司
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38;C25D5/48;C25D5/50;C25D5/34;H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司 11508
• 代理人: 秦溪

1.一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1、預處理：對半導體引線框架進行電解脫脂，水洗；

S2、活化：將半導體引線框架放入酸活化液中，浸泡處理15-25s，水洗，氟化銨溶液洗滌，水洗；

S3、鍍銅：將半導體引線框架放入銅電鍍液中進行電鍍，且在半導體引線框架表面電鍍出銅層，水洗；

S4、退火：在惰性氣體保護、溫度為140-160℃下，將半導體引線框架靜置處理2-3h，降溫；

S5、鈍化：將半導體引線框架放入鈍化液中浸泡，且在表面附上保護膜，水洗，烘干，完成半導體引線框架表面處理；

所述酸活化液以去離子水為溶劑，按質量濃度計，酸活化液包括以下溶質：濃硫酸5-8g/L、冰醋酸1-3g/L、雙十八烷基二甲基氯化銨1-3g/L。

2.根據權利要求1所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：所述銅電鍍液以去離子水為溶劑，按質量濃度計，銅電鍍液包括以下溶質：五水合硫酸銅40-50g/L、導電鹽70-90g/L、有機鹽絡合物10-20g/L、檸檬酸鈉5-15g/L、陰離子表面活性劑0.1-0.3g/L；

所述有機鹽絡合物為異煙酸乙酯、4,4'-二溴甲基聯苯依次經過取代反應、酯水解反應獲得。

3.根據權利要求2所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：所述有機鹽絡合物采用以下方法制備：

SA、在不斷攪拌下，于乙腈中加入異煙酸乙酯、4,4'-二溴甲基聯苯混合，升溫至70-80℃，保溫處理22-26h，降溫，過濾，獲得固體物A；

SB、在不斷攪拌下，于硫酸溶液中加入固體物A混合，升溫至70-80℃，保溫處理7-9h，降溫，過濾，洗滌，烘干，獲得有機鹽絡合物。

4.根據權利要求3所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：所述異煙酸乙酯、4,4'-二溴甲基聯苯、硫酸溶液的重量配比為10:(9-13):(90-110)，且，硫酸溶液的質量濃度為10-20%。

5.根據權利要求2所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：所述導電鹽為硫酸鈉、硫酸鉀、硝酸鈉、硝酸鉀中的一種或幾種。

6.根據權利要求2所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：所述陰離子表面活性劑為十二烷基硫酸鈉。

7.根據權利要求1所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：步驟S3，電鍍的電流密度為5-10A/dm2、時間為5-15s、溫度為45-55℃。

8.根據權利要求1所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：所述氟化銨溶液的質量濃度為3-8%。

9.根據權利要求1所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：所述鈍化液以去離子水為溶劑，按質量濃度計，鈍化液包括以下溶質：2-乙基苯并咪唑5-8g/L、冰醋酸1-3g/L。

10.根據權利要求1所述的一種提升半導體引線框架鍍層穩定性的處理方法，其特征在于：所述半導體引線框架為銅鐵合金引線框架、銅鎳硅合金引線框架、銅鉻合金引線框架、銅鎳錫合金引線框架中的一種。