[發(fā)明專利]一種晶體諧振器晶片的加工方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310396327.4
• 申請日: 2023-04-06
• 公開（公告）號: CN116214280A
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高青;劉其勝;高少峰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市晶峰晶體科技有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B7/22;B28D5/00;B24B29/02
• 代理公司: 深圳市智勝聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44368
• 代理人: 袁斌

1.一種晶體諧振器晶片的加工方法，用于加工石英晶體諧振器晶片，其特征在于，包括如下步驟：

獲取待加工晶體，對所述待加工晶體進行切割，得到切割晶片；

對所述切割晶片進行一次改圓和磨削，得到磨削晶片；

對所述磨削晶片的表層進行至少三次的研磨，得到研磨晶片；

對所述研磨晶片的表層進行拋光，得到拋光晶片；

對所述拋光晶片進行二次改圓和磨削，得到目標(biāo)晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述獲取待加工晶體，對所述待加工晶體進行切割，得到切割晶片的步驟包括：

使用切割機對所述待加工晶體進行AT型切割。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述對所述切割晶片進行一次改圓和磨削，得到磨削晶片的步驟包括：

使用晶體改圓機，對所述切割晶片進行一次改圓，得到一次改圓晶片，所述一次改圓晶片的直徑大于所述目標(biāo)晶片的直徑；

對所述一次改圓晶片進行一次磨削，其中，磨削的兩平臺方向垂直于晶片的光軸方向，得到所述磨削晶片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述對所述磨削晶片的表層進行至少三次的研磨，得到研磨晶片的步驟包括：

對所述磨削晶片的表面進行第一次研磨，得到一次研磨晶片；

對所述一次研磨晶片的表面進行第二次研磨，得到二次研磨晶片；

對所述二次研磨晶片的表面進行第三次研磨，得到三次研磨晶片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述對所述一次磨削晶片的表面進行第一次研磨，得到一次研磨晶片的步驟包括：

使用9B研磨機，對所述一次磨削晶片的表面進行研磨，得到一次研磨晶片。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述對所述一次研磨晶片的表面進行第二次研磨，得到二次研磨晶片的步驟包括：

使用6B研磨機，對所述一次研磨晶片的表面進行研磨，得到二次研磨晶片。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述對所述二次研磨晶片的表面進行第三次研磨，得到三次研磨晶片的步驟包括：

使用4B研磨機，對所述二次研磨晶片的表面進行研磨，得到三次研磨晶片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述對所述研磨晶片的表層進行拋光，得到拋光晶片的步驟包括：

使用4B拋光機，對所述三次研磨晶片的表面進行拋光，得到所述拋光晶片。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述對所述拋光晶片進行二次改圓和磨削，得到目標(biāo)晶片的步驟包括：

對所述拋光晶片進行二次改圓，得到二次改圓晶片；

對所述二次改圓晶片進行二次磨削，得到所述目標(biāo)晶片，其中，磨削的兩平臺方向垂直于晶片的光軸方向。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體諧振器晶片的加工方法，其特征在于，所述切割角度為35°22'～35°24'，切割厚度為0.19mm～0.21mm。