[發明專利]碳化硅晶體生長熱場裝置

在審

• 申請號: 202310393840.8
• 申請日: 2023-04-13
• 公開（公告）號: CN116516467A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 通威微電子有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 梁曉婷

1.一種碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，包括：

生長坩堝，所述生長坩堝用于放置碳化硅粉料；

籽晶載具，所述籽晶載具設置在所述生長坩堝上，用于固定籽晶；

阻隔罩體，所述阻隔罩體罩設在所述生長坩堝和所述籽晶載具外；

保溫層，所述保溫層設置在阻擋罩體外；

其中，所述阻隔罩體的內側壁和所述生長坩堝的外側壁相間隔，以使所述阻隔罩體和所述生長坩堝之間形成緩沖腔，所述阻隔罩體用于阻擋所述緩沖腔內的氣體與所述保溫層接觸。

2.根據權利要求1所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述緩沖腔內填充有緩沖氣體，所述緩沖氣體包括氬氣、氮氣、氫氣、氦氣中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述緩沖腔內的氣體壓強在1-800mbar之間。

4.根據權利要求2所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述生長坩堝放置在所述阻隔罩體內，所述阻隔罩體上開設有放置開口，所述放置開口上活動設置有密封蓋，所述密封蓋用于打開或者關閉所述放置開口。

5.根據權利要求4所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述阻隔罩體的底壁上還設置有放置臺，所述放置臺上設置有固定結構，所述生長坩堝放置在所述放置臺上，并與所述固定結構可拆卸連接。

6.根據權利要求5所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述固定結構包括多個活動卡爪，多個所述活動卡爪沿一圓周方向分布在所述放置臺上，每個所述活動卡爪卡持在所述生長坩堝的底部邊緣，以使所述生長坩堝固定在所述放置臺上。

7.根據權利要求4所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述密封蓋上還設置有均與所述緩沖腔連通的第一氣體管和第二氣體管，所述第一氣體管用于向所述緩沖腔通入所述緩沖氣體，所述第二氣體管用于抽出所述緩沖腔內的氣體。

8.根據權利要求1所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述緩沖腔的寬度大于所述生長坩堝的寬度，且所述緩沖腔的寬度小于所述生長坩堝的寬度的10倍。

9.根據權利要求1所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述生長坩堝包括坩堝本體和設置在所述坩堝本體內側的生長環，所述坩堝本體用于放置所述碳化硅粉料，所述籽晶載具設置在所述坩堝本體的頂端，所述生長環的一端連接于所述坩堝本體的內側，另一端朝向所述籽晶載具傾斜延伸，并用于延伸至所述籽晶的邊緣。

10.根據權利要求9所述的碳化硅晶體生長熱場裝置，其特征在于，所述坩堝本體的頂端的內側邊緣設置有第一密封凸環，所述籽晶載具的底端的外側邊緣設置有第二密封凸環，所述第一密封凸環和所述第二密封凸環相互扣合，以使所述坩堝本體的頂端和所述籽晶載具的底端之間形成迷宮密封結構。