[發(fā)明專利]一種肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310392327.7
• 申請日: 2023-04-13
• 公開（公告）號: CN116435340A
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱濤;張丙可;魏曉光;李嘉琳;李玲;周行;趙萬利;葛歡;常樹丞;閻海亮;李青嶺
• 申請（專利權(quán)）人: 北京智慧能源研究院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872
• 代理公司: 北京君有知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11630
• 代理人: 焦麗雅

1.一種肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，元胞區(qū)平面區(qū)域包括高摻雜區(qū)、肖特基勢壘接觸區(qū)和高肖特基勢壘接觸區(qū)；

所述高摻雜區(qū)為P型或N型；

所述高肖特基勢壘接觸區(qū)不在所述高摻雜區(qū)；

所述高肖特基勢壘接觸區(qū)與所述肖特基勢壘接觸區(qū)相鄰；

所述肖特基勢壘接觸區(qū)同基底形成的肖特基接觸的肖特基勢壘高度低于所述高肖特基勢壘接觸區(qū)同基底形成的肖特基勢壘。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，元胞區(qū)形狀為方形、圓形、條形或六角形，所述元胞區(qū)的基底材料為硅或碳化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，高肖特基勢壘接觸區(qū)域數(shù)量為多個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述肖特基勢壘接觸區(qū)被所述高摻雜區(qū)包圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高肖特基勢壘接觸區(qū)面積小于肖特基勢壘接觸區(qū)面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高肖特基勢壘接觸區(qū)域分為多個(gè)小面積區(qū)域，分布在所述肖特基勢壘接觸區(qū)域之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高肖特基勢壘區(qū)域數(shù)量為多個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高肖特基勢壘接觸區(qū)域分布隨機(jī)無規(guī)律。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高肖特基勢壘接觸區(qū)為條形或間斷條形。