[發(fā)明專利]一種定向排布納米孿晶銅薄膜材料及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310379610.6 | 申請日： | 2023-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN116334702A | 公開（公告）日： | 2023-06-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳蘊雯;陳志欽;李明;陳沛欣;鞠生宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | C25D3/38 | 分類號： | C25D3/38;C25D5/34;C25D5/48;C25D5/00;B82Y30/00;H01L21/48;H01L23/485;H01L23/482;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31227 | 代理人： | 曹莉 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 定向 排布 納米 孿晶銅 薄膜 材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種定向排布納米孿晶銅薄膜材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1.鍍液配置：將硫酸銅、強酸、氯化鈉和添加劑溶于水中并混勻，得到鍍液；所述鍍液包括硫酸銅30～150g/L、強酸10～20mL/L、氯化鈉30～60ppm、添加劑10～80ppm和余量水；所述添加劑為一種或者多種蛋白質(zhì)；
S2.導(dǎo)電基底前處理：將作為導(dǎo)電基底的陰極依次進行除油、酸洗和水洗處理；
S3.直流電鍍：將處理后的陰極基底和陽極材料浸入所述鍍液進行直流電鍍；
S4.鍍層后處理：電鍍完成后取出鍍層和基底，用水沖洗，吹干，得到納米孿晶銅薄膜材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向排布納米孿晶銅薄膜材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中,所述強酸為硫酸或者鹽酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向排布納米孿晶銅薄膜材料的制備方法，其特征在于：步驟S3中,電鍍采用恒定溫度和電流，電鍍溫度為25～45℃，電流密度為3～12A/dm2，電鍍時間為20～120min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向排布納米孿晶銅薄膜材料的制備方法，其特征在于：步驟S3中,電鍍過程進行磁力攪拌，攪拌轉(zhuǎn)速為200～900rpm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向排布納米孿晶銅薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述陰極基底為濺射有Ti/Cu種子層的晶圓，所述陽極材料為磷銅陽極。
6.權(quán)利要求1-5任一所述的制備方法制得的定向排布納米孿晶銅薄膜材料，其特征在于：包括厚度占比≥95％的納米孿晶層，所述納米孿晶層由豎向排布的納米孿晶片構(gòu)成，所述銅薄膜材料具有高度(220)取向織構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定向排布納米孿晶銅薄膜材料，其特征在于：所述納米孿晶片之間的間距為7.5～105nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定向排布納米孿晶銅薄膜材料，其特征在于：還包括厚度占比≤5％的細晶過渡層，所述細晶過渡層位于所述納米孿晶層的下方且底部附著于基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的定向排布納米孿晶銅薄膜材料，其特征在于：所述細晶過渡層的厚度為2～4μm。
10.權(quán)利要求1-5任一所述的制備方法制得的定向排布納米孿晶銅薄膜材料在電子封裝中的應(yīng)用。
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