[發明專利]晶體生長設備的控制方法、系統、裝置和存儲介質

在審

• 申請號: 202310379214.3
• 申請日: 2023-04-11
• 公開（公告）號: CN116377585A
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 王宇;雷沛
• 申請（專利權）人: 眉山博雅新材料股份有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00;C30B19/10;C30B15/20
• 代理公司: 成都七星天知識產權代理有限公司 51253
• 代理人: 張近甜

本說明書實施例提供一種晶體生長設備的控制方法、系統、裝置和存儲介質，該方法包括：獲取目標晶體生長設備的控制模式和目標生長結果，控制模式包括溫度控制模式和功率控制模式中的至少一種；基于控制模式和目標生長結果，確定目標晶體生長設備的生長控制參數。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別是涉及一種晶體生長設備的控制方法、系統、裝置和存儲介質。

背景技術

碳化硅晶體生長難度高，在晶體生長過程中，對晶體生長設備(如長晶爐)內的晶體生長溫度控制要求嚴苛。在晶體生長過程中，生長設備內的溫度會隨物料的生長進程而產生波動，如果不能精確控制生長設備內的生長溫度，則會導致生長出的碳化硅晶體出現質量問題(例如，凸度過大、雜晶等)。

因此，希望提供一種晶體生長設備的控制方法、系統、裝置和存儲介質，在碳化硅長晶過程中對晶體生長過程進行監測，以及根據晶體的生長情況進行自動化調控，提高晶體生長質量。

發明內容

本說明書實施例之一提供一種晶體生長設備的控制方法，所述方法包括：獲取目標晶體生長設備的控制模式和目標生長結果，控制模式包括溫度控制模式和功率控制模式中的至少一種；基于控制模式和目標生長結果，確定目標晶體生長設備的生長控制參數。

本說明書實施例之一提供一種晶體生長設備的控制系統，所述系統包括：獲取模塊，用于獲取目標晶體生長設備的控制模式和目標生長結果，控制模式包括溫度控制模式和功率控制模式中的至少一種；確定模塊，用于基于所述控制模式和所述目標生長結果，確定所述目標晶體生長設備的生長控制參數。

本說明書實施例之一提供一種晶體生長設備的控制裝置，所述裝置包括處理器，處理器用于執行如上實施例所述的晶體生長設備的控制方法。

本說明書實施例之一提供一種計算機可讀存儲介質，所述存儲介質存儲計算機指令，當計算機讀取存儲介質中的計算機指令后，計算機執行如上實施例所述的晶體生長設備的控制方法。

附圖說明

本說明書將以示例性實施例的方式進一步說明，這些示例性實施例將通過附圖進行詳細描述。這些實施例并非限制性的，在這些實施例中，相同的編號表示相同的結構，其中：

圖1是根據本說明書一些實施例所示的示例性晶體生長設備的控制系統的應用場景示意圖；

圖2是根據本說明說一些實施例所示的示例性晶體生長設備的控制系統的模塊圖；

圖3是根據本說明書一些實施例所示的示例性晶體生長設備的結構框圖；

圖4是根據本說明書一些實施例所示的示例性晶體生長設備的控制方法的流程圖；

圖5是根據本說明書一些實施例所示的示例性確定目標晶體生長設備的第一控制模式的示意圖；

圖6是根據本說明書一些實施例所示的示例性確定目標晶體生長設備的生長控制參數的流程圖；

圖7是根據本說明書一些實施例所示的示例性目標晶體生長設備的不同生長階段的示意圖。

具體實施方式

為了更清楚地說明本說明書實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本說明書的一些示例或實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖將本說明書應用于其它類似情景。除非從語言環境中顯而易見或另做說明，圖中相同標號代表相同結構或操作。

應當理解，本文使用的“系統”、“裝置”、“單元”和/或“模塊”是用于區分不同級別的不同組件、元件、部件、部分或裝配的一種方法。然而，如果其他詞語可實現相同的目的，則可通過其他表達來替換所述詞語。