[發明專利]三維存儲器

在審

• 申請號: 202310374038.4
• 申請日: 2021-05-17
• 公開（公告）號: CN116471845A
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 王迪;周文犀;趙婷婷;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H10B43/35
• 分類號: H10B43/35;H10B43/27
• 代理公司: 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國斌

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

疊層結構，包括交替疊置的柵極層和絕緣層；

溝道結構，貫穿所述疊層結構；

頂部選擇堆疊層，位于所述疊層結構的一側，所述頂部選擇堆疊層包括間隔層和至少一對交替堆疊的頂部電介質層和頂部選擇柵極層，所述間隔層位于所述至少一對交替堆疊的頂部電介質層和頂部選擇柵極層遠離所述疊層結構的一側；以及

貫穿所述間隔層和所述至少一對交替堆疊的頂部電介質層和頂部選擇柵極層的頂部選擇柵切口結構。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述間隔層位于所述頂部選擇堆疊層遠離所述疊層結構的最外側。

3.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述間隔層和所述頂部選擇柵極層之間至少間隔一層頂部電介質層。

4.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述間隔層采用的材料不同于所述頂部電介質層采用的材料，且所述間隔層采用的材料不同于所述頂部選擇柵極層采用的材料。

5.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

第一開口結構，貫穿所述頂部選擇堆疊層，且與所述溝道結構連接；

位線觸點，位于所述第一開口結構遠離所述疊層結構的一側，且與連接所述第一開口結構；

其中，所述間隔層位于所述位線觸點和所述頂部選擇柵極層之間。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器，其特征在于，沿第一方向上，靠近所述溝道結構一側的所述第一開口結構的尺寸小于靠近所述第一開口結構一側的所述溝道結構的尺寸。

7.根據權利要求1-6任意一項所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

柵極間隙結構，包括第一填充層、阻隔層和第二填充層，所述阻隔層和所述第二填充層貫穿所述頂部選擇堆疊層和所述疊層結構；所述第一填充層貫穿所述間隔層，且位于所述頂部選擇柵極層遠離所述疊層結構的一側。

8.根據權利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，

所述第一填充層位于所述阻隔層遠離所述第二填充層的一側，且所述第一填充層相對所述第二填充層靠近所述疊層結構。

9.根據權利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，

所述第一填充層采用的材料不同于所述間隔層采用的材料。

10.根據權利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，

所述第一填充層和所述頂部電介質層包括相同的材料。

11.根據權利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

頂部疊層，包括所述頂部選擇堆疊層；

其中，所述第一填充層穿過部分所述頂部疊層，且所述第一填充層遠離所述疊層結構的一側與所述頂部疊層遠離所述疊層結構的一側齊平。

12.根據權利要求11所述的三維存儲器，其特征在于，所述柵極間隙結構貫穿所述頂部疊層和所述疊層結構；

所述柵極間隙結構包括第一柵極間隙結構和第二柵極間隙結構，所述第一柵極間隙結構貫穿遠離所述頂部選擇堆疊層一側的所述頂部疊層且貫穿至間隔層，所述第二柵極間隙結構貫穿所述疊層結構；

其中，所第一柵極間隙結構的關鍵尺寸大于所述第二柵極間隙結構的關鍵尺寸。

13.根據權利要求5所述的三維存儲器，其特征在于，

所述三維存儲器還包括：

溝道插塞，設置在所述溝道結構上并與所述溝道結構的溝道層連接，所述第一開口結構連接在所述溝道插塞和所述位線觸點之間。