[發(fā)明專利]一種芯片封裝體分離切割方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310372685.1
• 申請(qǐng)日: 2023-04-10
• 公開（公告）號(hào): CN116344446A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥矽邁微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，包括以下步驟：

開槽步驟：將封裝體的芯片面朝下放置，蝕刻封裝體遠(yuǎn)離芯片面的一面，在切割道位置均勻蝕刻出槽口；

貼膜步驟：將封裝體開槽口的一面朝下放置并貼在水平的固定膜上；

切割步驟：控制刀片的切割高度，刀片在切割道位置切割封裝體至槽口；

去膜步驟：將切割完成的產(chǎn)品脫離固定膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，所述開槽步驟中，槽口的深度范圍為封裝體高度的0.15～0.35倍，槽口的寬度范圍為切割道寬度的0.4～1倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，所述切割步驟中，刀片距離固定膜的最低切割高度≦槽口深度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，所述切割步驟中，刀片從封裝體芯片面沿著切割道垂直向下切割。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，所述去膜步驟中，還包括輔助剝離步驟和檢驗(yàn)步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，所述輔助剝離步驟中，使用超聲波輔助剝料，單個(gè)產(chǎn)品在振動(dòng)下發(fā)生掉落剝料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，所述檢驗(yàn)步驟中，檢查剝完料的固定膜完整情況和單個(gè)產(chǎn)品上的殘膠情況。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一一項(xiàng)所述的芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，所述開槽步驟中，使用激光器進(jìn)行激光蝕刻出槽口或者濕法蝕刻出槽口。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一一項(xiàng)所述的芯片封裝體分離切割方法，其特征在于，所述開槽步驟中，使用預(yù)切刀進(jìn)行切割蝕刻出槽口，且預(yù)切刀的寬度大于刀片寬度。