[發明專利]一種芯片及芯片的設計方法在審
| 申請號: | 202310369319.0 | 申請日: | 2023-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN116093022A | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發明(設計)人: | 趙旭東;華菲;趙作明 | 申請(專利權)人: | 北京華封集芯電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L23/538;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 高英英 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 設計 方法 | ||
1.一種芯片,其特征在于,該芯片包括:
基底層(101);
設置在所述基底層(101)上的金屬層(102),所述金屬層(102)至少包括表層金屬(105)和底層金屬(106);
設置在所述表層金屬(105)上的多個連接點(103);以及
設置在所述底層金屬(106)上且與部分連接點(103)一一對應連通的管腳井(104),且所述管腳井(104)包括多個依次縱向連通的管腳(107)。
2.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于,
所述管腳(107)為穿孔結構;
所述管腳井(104)連通表層金屬(105)和底層金屬(106)。
3.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于,
所述管腳井(104)中任意兩個管腳(107)之間的長度差小于10%。
4.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于,
所述管腳井(104)設有驅動門電路或接收門電路。
5.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于,
所述管腳井(104)與所述表層金屬(105)相垂直。
6.一種芯片的設計方法,其特征在于,該設計方法包括:
設置基底層(101);
在所述基底層(101)上設置金屬層(102),所述金屬層(102)至少包括表層金屬(105)和底層金屬(106);以及
在所述表層金屬(105)上設置多個連接點(103);
其中,所述底層金屬(106)上設有與部分連接點(103)一一對應連通的管腳井(104),且所述管腳井(104)包括多個依次縱向連通管腳(107)。
7.根據權利要求6所述的設計方法,其特征在于,
所述管腳(107)為穿孔結構;
所述管腳井(104)連通表層金屬(105)和底層金屬(106)。
8.根據權利要求6所述的設計方法,其特征在于,
所述管腳井(104)中任意兩個管腳(107)之間的長度差小于10%。
9.根據權利要求6所述的設計方法,其特征在于,
所述管腳井(104)設有驅動門電路或接收門電路。
10.根據權利要求6所述的設計方法,其特征在于,
所述管腳井(104)與所述表層金屬(105)相垂直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





