[發明專利]鍺透鏡基底上鍍制3-5μmDLC加減反射增透膜的制備方法

在審

• 申請號: 202310348613.3
• 申請日: 2023-04-04
• 公開（公告）號: CN116356315A
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 梁獻波;劉夢佳;尹士平
• 申請（專利權）人: 安徽光智科技有限公司
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C16/505;C23C16/26;C23C16/02;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/30;C23C14/26;G02B1/115
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張向琨

1.一種鍺透鏡基底上鍍制3-5μmDLC加減反射增透膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1，將作為鏡片的鍺透鏡基底的陪鍍片和產品的表面進行清潔處理，鍺透鏡基底的陪鍍片的厚度為0.9-1.5mm；

S2，在鏡片的第一面上鍍制DLC膜層，包括子步驟：

S21，將清潔處理好的陪鍍片和產品的鏡片置于射頻等離子類金剛石鍍膜設備的下極板托盤上；

S22，射頻等離子類金剛石鍍膜設備抽真空，然后通入氬氣清洗；

S23，啟動射頻等離子類金剛石鍍膜設備，通入甲烷120sccm、氬氣10sccm作為反應氣源，開啟射頻電源，射頻電源的射頻功率為700-800W，沉積壓力為0.1-10Pa，沉積時間為2000-2300s，

從而在鏡片的第一面上鍍制DLC膜層；

S24，沉積完成后，冷卻后從射頻等離子類金剛石鍍膜設備中取出包含陪鍍片和產品的鏡片，準備鍍制鏡片的第二面；

S3，在鏡片的第二面上鍍制減反射增透膜，包括子步驟：

S30，將第一面鍍制DLC膜層的包括陪鍍片和產品的鏡片的表面進行清潔處理；

S31，將清潔處理好的鏡片放入工裝夾具，放好鏡片的工裝夾具掛入真空鍍膜機的腔體內，腔體的溫度設定為150℃；

S32，真空鍍膜機啟動抽真空，真空度達到1×10^-3Pa，打開真空鍍膜機的輔助鍍膜的離子源進行清洗，清洗時間為6min，

離子源的陽極電壓為220V、陽極電流為1.2-1.5A、發射極的電流為1.3-1.5A；

S33，維持前述真空度，在鏡片的第二面蒸鍍第一Ge膜層，第一Ge膜層的沉積速率為0.4nm/s，控制第一Ge膜層的膜厚為18nm±1nm，離子源輔助蒸鍍；

S34，在鍍制的第一Ge膜層上蒸鍍第一ZnS膜層，第一ZnS膜層的沉積速率為0.8nm/s，控制第一ZnS膜層的膜厚為139nm±4nm，離子源輔助蒸鍍；

S35，在鍍制的第一ZnS膜層上蒸鍍第二Ge膜層，第二Ge膜層沉積的速率為0.4nm/s，控制第二Ge膜層的膜厚為49nm±2nm，離子源輔助蒸鍍；

S36，在鍍制的第二Ge膜層上蒸鍍第二ZnS膜層，第二ZnS膜層的沉積速率為0.8nm/s，控制第二ZnS膜層的膜厚為190nm±4nm，離子源輔助蒸鍍；

S37，在鍍制的第二ZnS膜層上蒸鍍YbF₃膜層，YbF₃膜層沉積的速率為0.6nm/s，控制YbF₃膜層的膜厚為428nm±5nm，

離子源輔助蒸鍍；

S38，在鍍制的YbF₃膜層上蒸鍍第三ZnS膜層，第三ZnS膜層的沉積速率為0.8nm/s，控制第三ZnS膜層的膜厚為50nm±2nm，離子源輔助蒸鍍；

S4，鍍制完成后，待真空室冷卻至80℃以下取出兩面鍍制好的鏡片。

2.根據權利要求1所述的鍺透鏡基底上鍍制3-5μmDLC加減反射增透膜的制備方法，其特征在于，

在步驟S1中，鍺透鏡基底的陪鍍片的厚度為1.0mm。

3.根據權利要求1所述的鍺透鏡基底上鍍制3-5μmDLC加減反射增透膜的制備方法，其特征在于，

在步驟S1和子步驟S30中，采用超聲波對鏡片的表面進行清潔處理。

4.根據權利要求1所述的鍺透鏡基底上鍍制3-5μmDLC加減反射增透的制備方法，其特征在于，

在子步驟S22中，射頻等離子類金剛石鍍膜設備抽真空的真空度達到5.0×10^-3Pa；

在子步驟S22中，通入氬氣30sccm，清洗時間為2min；

在子步驟S23中，射頻電源的射頻功率為750W，沉積壓力為5Pa，沉積時間為2150s；

在子步驟S24中，冷卻30min。

5.根據權利要求1所述的鍺透鏡基底上鍍制3-5μmDLC加減反射增透膜的制備方法，其特征在于，

在子步驟S32中，陽極電流為1.2A、發射極的電流為1.5A；

在子步驟S32至子步驟S38中，離子源為霍爾離子源。