[發明專利]一種LED外延結構及其制備方法在審
| 申請號： | 202310343639.9 | 申請日： | 2023-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN116130571A | 公開（公告）日： | 2023-05-16 |
| 發明（設計）人： | 曹金如;黃璐;李曉靜;徐晶;馬英杰 | 申請（專利權）人： | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛嬌 |
| 地址： | 225101*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 外延 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種LED外延結構，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底一側的超晶格電流擴展層，所述超晶格電流擴展層包括周期性排布的超晶格單元，所述超晶格單元包括沿背離所述襯底的方向依次排布的勢阱層、第一勢壘層和第二勢壘層；
位于所述超晶格電流擴展層背離所述襯底一側，沿背離所述襯底的方向依次排布的第一型半導體層、有源層和第二型半導體層；
其中，所述勢阱層為(Alx1Ga1-x1)0.5In0.5P層，所述第一勢壘層為(Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P層，所述第二勢壘層為(Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P層，0＜x1＜y1＜y2≤1；
在垂直于所述襯底所在平面的方向上，所述第一勢壘層的厚度為第一厚度d1，所述第二勢壘層的厚度為第二厚度d2，d1d2。
2.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述第一勢壘層的厚度d1滿足：5nm≤d1≤50nm。
3.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述第二勢壘層的厚度d2滿足：d2≤10nm。
4.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述第一勢壘層的厚度d1和所述第二勢壘層的厚度d2滿足：d12d2。
5.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，在垂直于所述襯底所在平面的方向上，所述勢阱層的厚度為第三厚度d3，其中，1nm≤d3≤20nm。
6.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述超晶格單元的周期數n滿足：1≤n≤50。
7.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述LED外延結構還包括窗口層，所述窗口層位于所述第二型半導體層背離所述襯底的一側。
8.一種LED外延結構的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底的一側形成超晶格電流擴展層，所述超晶格電流擴展層包括周期性排布的超晶格單元，所述超晶格單元包括沿背離所述襯底的方向依次排布的勢阱層、第一勢壘層和第二勢壘層；
其中，所述勢阱層為(Alx1Ga1-x1)0.5In0.5P層，所述第一勢壘層為(Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P層，所述第二勢壘層為(Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P層，0＜x1＜y1＜y2≤1；
在垂直于所述襯底所在平面的方向上，所述第一勢壘層的厚度為第一厚度d1，所述第二勢壘層的厚度為第二厚度d2，d1d2；
在所述超晶格電流擴展層背離所述襯底的一側，沿背離所述襯底的方向依次形成第一型半導體層、有源層和第二型半導體層。
9.根據權利要求8所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于，還包括：
在所述第二型半導體層背離所述襯底的一側形成窗口層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于揚州乾照光電有限公司，未經揚州乾照光電有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310343639.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種食用菌催蕾方法
- 下一篇：一種氣液交替混合洗牙刷
